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Vishay präsentiert einen 20-V-p-Kanal-Leistungsmosfet mit kleinem On-Widerstand von 35 m? bei 4,5 V Gate-Spannung bis 130 m? bei 1,5 V bei einem Footprint von 1,6 x 1,6 mm. Der SiB457EDK basiert auf der Trenchfet-Gen-III-p-Kanal-Technologie, die es ermöglicht, mithilfe selbstjustierender Prozesse auf einem Quadratzoll Siliziumfläche eine Milliarde Transistorzellen unterzubringen. Die Trenchfet-Gen-III- p-Kanal-Leis­tungskomponenten gibt es jetzt in vier SMT-Gehäusebauformen.