„Vishay Intertechnology präsentiert die weltweit erste monolithisch integrierte 30-Volt-Leistungsmosfet-Schottky-Dioden-Kombination in einem Gehäuse, das sowohl über die Ober- als auch die Unterseite Wärme ableitet“, kommentiert Spiro Zefferys, Produktmanager von Vishay in Malvern, Pennsylvania mit Stolz. Der SkyFET SiE726DF weist nach Unternehmensaussagen ein verbessertes Leistungsverhalten in Systemen mit erzwungener Luftkühlung auf. Der Leistungsbaustein im Polar-PAK-Gehäuse realisiert in Hochstrom- und Hochfrequenzanwendungen höhere Wirkungsgrade und ist für den Einsatz als Low-Side-Schalter in Synchrongleichrichtern für Hochstrom-DC/DC-Wandler, VRM-Anwendungen, Grafikkarten und Point-of-Load-Stromversorgungen in Servern und Telekomsystemen ausgelegt. Vorteil: ein niedriger On-Widerstand von maximal 0,0024 Ohm bei 10 Volt Gate-Spannung sowie eine um 50 Prozent höhere Strombelastbarkeit im Vergleich mit Bauteilen im SO-8-Gehäuse gleicher Größe ohne Kühlkörper. Die Komponente verfügt über eine Gate-Ladung von 50 Nanocoulomb und ein niedriges Verhältnis von Gate-Drain-Ladung zu Gate-Source-Ladung (Qgd:Qgs), was ein niedrigers Shoot-Through-Risiko zur Folge hat. „Die Qrr- und VSD-Werte sind mit 30 Nanocoulomb beziehungsweise 0,37 Volt nicht einmal halb so groß wie bei einem Standard-Mosfet“, erklärt Spiro Zefferys. Er führt fort: „Dadurch verringern sich die Parasitäreffekte und die Leistungsverluste durch die Body-Diode des Mosfets; das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad. Mit zunehmender Schaltfrequenz wird die Reduktion der Leistungsverluste immer dramatischer. Dadurch, dass die Schottky-Diode mit auf den Chip integriert ist, können Entwickler kleinere, kompaktere Schaltungen entwickeln und zugleich Kosten einsparen.“
Vorteil: Weniger Leistungsverluste resultieren in höheren Wirkungsgrade. Das Ergebnis ist ein energieeffizienteres Endprodukt.
