Dank Durchlasswiderständen von 0,19 bis 0,4 Ohm und Gateladungen zwischen 27 und 14 nC erreichen diese 600-V-Leistungsmosfets einen um 66% besseren Gütefaktor als herkömmliche Mosfets. Im Einzelnen handelt es sich um die DTMOS-II-Bausteine TK20A60U/15A60U/12A60U mit Nennströmen von 20, 15 bzw. 12 A für getaktete Netzteile, Lampen, Vorschaltgeräte, Antriebssteuerungen und andere Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und schnelle Schaltzeiten erfordern. Gehäuse ist ein TO-220 mit Smart Isolation, weitere Gehäuseoptionen folgen.