Aufgebaut in Superfunction1-Technik bieten diese Niederspannungs-Leistungsmosfets um 30% kleinere Gateladungen sowie Eingangskapazitäten als Umos-4-Trench-Bausteine und behalten dabei den extrem niedrigen On-Widerstand. Verfügbar sind vier Bausteine im D2PAK-Gehäuse mit Drain-Source-Spannungen von 40 und 55 V. Dabei weisen NP110N04PUJ bzw. NP110N055PUJ eine Gateladung von 150 nC bei einem RDS(on) von 1,8 bzw. 2,4 mOhm auf. Alle Bausteine sind nach AEC-Q101 quali-fiziert. Muster der Powermosfets sind verfügbar, die Massenfertigung startet im ersten Halbjahr 2009.