Sorgen im PFC- und Halbbrückenteil von Lampenvorschaltgeräten für einen höheren Wirkungsgrad: Die Mosfetserie SuperMESH3T.

Sorgen im PFC- und Halbbrückenteil von Lampenvorschaltgeräten für einen höheren Wirkungsgrad: Die Mosfetserie SuperMESH3T.

Die Leistungsmosfetfamilie SuperMESH3T von ST Microelectronics sollen mehr Effizienz, Zuverlässigkeit und Sicherheit in Beleuchtungs- und Schaltnetzteil-Applikationen bringen. „Als erste Produkte unserer modernen Mosfetfamilien zeichnen sich die Bausteine durch eine hohe Leitungs- und Schalt-Performance, Robustheit und Platzersparnis aus“, stellt Sven Reinhardt, Regional Marketing Manager Europe von ST Microelectronics in Grassbrunn die entscheidenden Vorteile in den Mittelpunkt. Als ersten Baustein führt der Hersteller den STx6N62K3 mit 620 Volt ein. Diesem folgen der STx3N62K3 ebenfalls mit 620 Volt sowie die 525-Volt-Versionen STx7N52K3 und STx6N52K3.
Einen verbesserten Wirkungsgrad erreichte das Unternehmen durch seine SuperMESH3-Technologie mit niedrigerem Drain-Source-Widerstand (RDS(on)). STM erzielte eine Senkung auf 1,28 Watt im Falle des STD6N62K3 für 620 Volt sowie 0,98 Watt in der 525-Volt-Ausführung STD7N52K3. Weitere Optimierungen: mehr
Zuverlässigkeit und höhere Sicherheit der Mosfetserie durch ein verbessertes dv/dt-Verhalten und höhere Durchbruchspannungs-Reserven. „Durch die verbesserte Technologie reduzieren sich auch der Wert für die Sperrverzögerungszeit (Trr), die Gateladung und die inhärente Kapazität, so dass sich die Schalt-Performance verbessert und höhere Schaltfrequenzen erzielt werden können“, erklärt Sven Reinhardt. Dem Hersteller war es aufgrund des niedrigen On-Widerstands pro Flächeneinheit möglich, seine Komponenten im kleineren Gehäuse, wie dem DPAK anzubieten, was wiederum kleinere Footprints und Einsparungen auf der Leiterplatte nach sich zieht. Die SuperMESH3-Produkte sind auf ihre Lawinendurchbruchfestigkeit geprüft und zeichnen sich dank der eingebauten Z-Dioden durch robuste Eigenschaften aus. (eck)