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Die Gate-gesteuerten Logikpegel-Trench-Hexfet-Leistungsmosfets von IR punkten mit niedrigem Einschaltwiderstand und hohen Gehäusenennströmen. Damit eignen sie sich für Hochleistungs-Gleichstrommotoren, Industriebatterien oder Stromversorgungen. Der niedrige RDSon bei einer Vgs von 4,5 V sorgt für einen guten thermischen Wirkungsgrad; der hohe Nennstrom schützt vor Transienten und reduziert die Bauteilezahl in parallelen Topologien, wo mehrere Mosfets hohe Ströme teilen müssten.