Low-Voltage-Parallel-EEPROM mit 1-MBit-Speicher

Der Baustein des Typs M28010-W hat eine Speicherkapazität von 1 MBit und benötigt lediglich eine Versorgungsspannung von 2,7 bis 3,6 V. Der im PDIP32-, PLCC32- oder TSOP32-Gehäuse lieferbare Baustein besitzt eine 128 K x 8-Organisation und eignet sich speziell für den Einsatz in privaten Nebenstellenanlagen, Telekommunikations-Switches und programmierbaren Steuerungen für die Industrie, die in der Regel alle einen sehr großen nichtflüchtigen Speicher erfordern. Der Speicherbaustein bietet sich außerdem für tragbare Geräte an, in denen es auf geringen Energiebedarf ankommt. Beispiele hierfür sind Kartenleser, die einen großen Datenspeicher benötigen oder in denen zur Aktualisierung der Geräte-Funktionalität Software heruntergeladen werden muss.
Wie alle EEPROMs zeichnet sich auch das M28010-W durch ein Maximum an System-Flexibilität aus, denn ohne vorherige Blocklöschzyklen lassen sich einzelne Bytes lesen und schreiben. Die separaten, parallelen Adress- und Datenbusse führen zu kurzen Lesezugriffszeiten von nur 100 ns bei 2,7 V, während die Schreibzykluszeit nur 5 ms für ein Byte bzw. 10 ms für eine bis zu 128 Bytes umfassende Seite beträgt. Eine integrierte Fehlerkorrekturschaltung sorgt für eine hohe Langzeit-Zuverlässigkeit von mehr als 100.000 Schreibzyklen pro Byte. In Verbindung mit dem Datenerhalt von zehn Jahren macht dies den Baustein zur geeigneten Lösung für die Speicherung von Programmcode und Parametern.
Der M28010-W besitzt außerdem einen Lesepuffer mit einer Breite von vier Bytes (32 Bit), welcher die Zugriffszeit und die Leistungsaufnahme erheblich reduziert. Nachdem ein Byte gelesen wurde, sind weitere Bytes desselben Wortes im Lesepuffer verfügbar und müssen nicht aus dem eigentlichen Speicher-Array geholt werden. Durch Optimieren der Speicherzugriffsmuster kann der Anwender die Leistungsaufnahme um bis zu 50 Prozent senken.

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