Bietet im Zusammenspiel mit dem 500V-P-Channel-HF-Mosfet  ARF301 einen hohen Wirkungsgrad sowie ein einfaches HF-Design: Der ARF300.

Bietet im Zusammenspiel mit dem 500V-P-Channel-HF-Mosfet ARF301 einen hohen Wirkungsgrad sowie ein einfaches HF-Design: Der ARF300.

Microsemi präsentiert mit dem ARF301 einen 500-Volt-P-Channel-Hochfrequenzmosfet mit 300 Watt Ausgangsleistung, der sich insbesondere für den Einsatz in in-dustriellen, wissenschaftlichen und medizintechnischen Anwendungen (ISM-Anwendungen) sowie Plasma-Applikationen eignet. Besonderheit: Der Hersteller konnte die Treiberschaltung in Hochspannungsschaltungen von Halb- und Vollbrückendesigns optimieren und zwar durch die Elimination der komplexen Isolierung. Die Komponente ist für 27,12 Megahertz bei 500 Volt ausgelegt und im robusten flanschlosen T11-Hochfrequenzgehäuse untergebracht, dass durch einen minimierten Wärmewiderstand glänzt.
Bisher waren hocheffiziente Hochfrequenz-Brückendesigns im Hochleistungsbereich darauf beschränkt, N-Channel-Mosfets als Leistungsschalter zu nutzen, weil sie als einzige Bausteine diesen Leistungs- und Frequenzbereich händeln konnten. Mit dem ARF301 können Entwickler nun in komplexen Hochleis-
tungs-Hochfrequenz-Brückendesigns einen P-Channel-Mosfet einsetzen, wo N-Channel-Mosfets nicht mithalten können. Um den Wirkungsgrad der Brücke zu erhöhen, sollten der Schalter im niedrigen und der im hohen Leistungsbereich in Performanz und Eingangskapazität miteinander harmonieren.
Darüber hinaus stellt der amerikanische Hersteller mit dem ARF300 einen N-Channel-Mosfet zur Verfügung, der sich ideal mit demARF301 in ISM-und Plasma-Anwendungen kombinieren lässt. Die Ciss-, Coss- und Crss-Werte der zwei Mosfetversionen sind nahezu indentisch. Vorteile der Kombination beider Leistungsbausteine: ein vereinfachtes HF-Design, höhere Wirkunsgrade und größere Leistungsdichten. Der Hersteller bietet den ARF301 zum Preis von 80,96 US-Dollar bei einer Mindestabnahme von 500 Stück an. (eck)