Durch Superjunction-1-Technologie prädestiniert für das schnelle Schalten von hohen Strömen: die NP110N0xxPUJ-Powermosfetserie.

Durch Superjunction-1-Technologie prädestiniert für das schnelle Schalten von hohen Strömen: die NP110N0xxPUJ-Powermosfetserie.

NEC Electronics hat sein Produktportfolio im Bereich Low-Voltage-Powermosfets erweitert. Die neuentwickelten Produkte basieren auf der Superjunction-1-Technologie und weisen ein gutes Figure of Merit (FOM) auf. Somit sind sie in der Lage, Schaltverluste erheblich zu senken und die Systemeffizienz zu erhöhen. Nach Aussagen des Herstellers lässt sich mit der Superjunction-1-Technologie die Gate-Ladung und die Eingangskapazität im Vergleich zur UMOS-4-Trench-Technologie um mehr als 30 Prozent reduzieren unter Beibehaltung des niedrigen On-Widerstands RDS(on). Dabei lassen sich P-dotierte Bereiche unterhalb der aktiven P-Wanne der Trenchzelle einfügen, wobei der Widerstand der N-epitaktischen Schicht durch höhere Dotierung gesenkt wird. „Dadurch lässt sich bei gleichbleibendem On-Widerstand die Strukturbreite vergrößern und in Folge dessen die Gate-Ladung erheblich senken“, so Abdullah Cam, Ingenieur aus dem Bereich Leistungshalbleiter bei NEC in Düsseldorf. Der Hersteller bereitet im Moment die vier Bauteile im populären D2PAK-Gehäuse mit Drain-Source-Spannungen von 40 und 55 Volt für die Massenproduktion vor. Dabei weisen der NP110N04PUJ und der NP110N055PUJ eine Gate-Ladung von 150 Nanocoulomb auf bei einem RDS(on) von 1,8 oder 2,4 Milliohm. Einsatzbereich für Powermosfets mit Superjunction-1-Technologie sind Anwendungen, die schnell große Ströme mit hoher Effizienz schalten müssen, wie etwa Electric Power Steering oder ABS im Automobilbereich sowie bei industriellen Antrieben im Niederspannungsbereich, zum Beispiel Antriebe im Gabelstapler oder in anderen batteriebetriebenen Systemen. Die Bauteile sind nach AEC-Q101 qualifiziert, unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 Grad Celsius und erfüllen die Anforderungen hinsichtlich RoHS. (eck)