Der Sensor befindet sich vollständig im Inneren des monolithischen Halbleiters.

Der Sensor befindet sich vollständig im Inneren des monolithischen Halbleiters.IS-Line/Siflo

Der Sensor kann für die direkte Messung in den Durchflussbereichen von wenigen 10 sccm (Standard-Kubikzentimeter) bis über 300 slm (Standard-Liter pro Minute) eingesetzt werden. Die Siflo-Lösung nutzt als Messprinzip ein thermisches Verfahren: Es besteht aus einem Heizelement und zwei differenziell angeordneten Thermoelementen. Der Temperaturgradient ist ein Maß für die Fließgeschwindigkeit. Im Gegensatz zur herkömmlichen Technologie, bei der Heizelement und Messwiderstände direkt mit dem zu messenden Medium in Kontakt kommen, befindet sich der Sensor vollständig im Inneren des monolithischen Halbleiters. Das Medium berührt also nur die widerstandsfähige Siliciumcarbid-Schicht (SiC) des Sensors.

Das Bauelement liefert ein vergleichsweise großes Ausgangssignal von 170 mV (Full Scale) und ist im erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C einsetzbar. Darüber hinaus machen ihn die kleinen Abmessungen von nur 3,9 mm x 1,8 mm und die Möglichkeit der kundenspezifischen Gehäuseanpassung für eine Vielzahl unterschiedlichster Anwendungen geeignet: etwa im Medizinbereich (zum Beispiel für Beatmungsgeräte, Ventilatoren, Anästhesie-Equipment, Patienten-Monitoring), aber auch im industriellen Einsatz (zum Beispiel bei Leckage-Messungen, Spektroskopie, Überwachung von Brennstoffzellen) oder im Bereich der Klima- und Umweltmessung.