Diodes Incorporated hat seinen ersten MOSFET im 2 x 2 mm großen DFN ohne Anschluss-Pins vorgestellt. Der Zetex ZXMN2F34MA benötigt auf der Leiterplatte 50 % weniger Platz als Bausteine im Industriestandard-Gehäuse des Typs SOT23 und trägt lediglich 0,85 mm auf.

Er bietet damit Vorteile für eine Vielzahl von Schalt und Power-Management-Applikationen mit beengten Platzverhältnissen. Dazu zählen externe Schalter in Hoch /Tiefsetzstellern für PoL-Anwendungen, in denen die Leiterplattenfläche, die thermischen Eigenschaften und eine niedrige Schwellenspannung vorrangige Kriterien sind.

Der MOSFET gehört zu einer Serie von insgesamt sechs neuen N-Kanal-MOSFETs für niedrige Spannungen (20 V und 30 V) in Single- und Dual-Ausführung, die Zetex in verschiedenen oberflächenmontierbaren Gehäusen vorstellen wird. Trotz seines hohen Miniaturisierungsgrads punktet der für 20 V ausgelegte ZXMN2F34MA zusätzlich mit thermischen Eigenschaften, die dem deutlich größeren SOT23-Gehäuse überlegen sind.

Das Leadless Package des Typs DFN322 gewährleistet einen Wärmewiderstand, der ungefähr 40 % geringer ist als bei vergleichbaren Bauelementen, was das Temperaturniveau im Betrieb senkt und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht. Bei typischen Gate-Source-Spannungen von 4,5 V und 2,5 V kommt der MOSFET auf RDS(on)-Werte von nur 60 m? bzw. 120 m?. Die geringe Reverse-Recovery-Ladung der Bausteine senkt außerdem die Schaltverluste und entschärft die EMI-Probleme.

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