13163.jpg

Um 0,1 mm flacher als vergleichbare SOT-23-gehäuste Bausteine sind die vier Lowvoltage-Power-Mosfet N0100P, N0301P, N0302P und N0301N von NEC Electronics. Ermöglich wurde das durch flach aus dem Gehäuse herausragende Lötanschlüsse. Dank dieser Struktur können die Gehäuse zudem größere Chips aufnehmen, was einen um bis zu 20 Prozent gesenkten On-Widerstand ermöglicht. Dadurch lassen sich maximale Stromtragfähigkeiten von bis zu 4,5 A (N0301N) realisieren. Datenblätter und Muster der Bausteine (drei p- und ein n-Kanal-Mosfet) sind ab sofort verfügbar. Massenproduktion geplant ab Juni 2009.