NXP Semiconductors Baustein PSMN1R2-25YL ist ein 25-V-N-Kanal-Mosfet mit einem RDS(on) <1 m?. Die Komponente kombiniert das leistungsfähige Power-SO8-Gehäuse mit der Halbleitertechnik der Trench-6-Generation. Applikationen: Power-Or-Ring, Motorregelungen oder hocheffi­ziente synchrone Abwärts-Schaltregler. Neben dem niedrigen On-Widerstand sorgt die Trench-Technologie für eine hohe Schalt­effizienz und einen guten thermischen Widerstand. Die Komponente ist im Power-SO8-LFPAK-Gehäuse untergebracht.