Das wärmeeffiziente, kleine DSOP-Advance-Gehäuse spart Platz und verbessert die Wärmeabgabe um mehr als 30 %.

Das wärmeeffiziente, kleine DSOP-Advance-Gehäuse spart Platz und verbessert die Wärmeabgabe um mehr als 30 %.Toshiba Electronics Europe

Die Gehäuse bieten doppelseitige Kühlung und verbessern die Wärmeabgabe. In Anwendungen mit hoher Bauteildichte lässt sich damit die Temperatur der Leiterplatte verringern und die Leistungsfähigkeit erhöhen, ohne dabei den Platzbedarf der Leiterplatte erhöhen zu müssen.

Das neue Gehäuse weist die gleiche Stellfläche wie ein SOP-Advance-Baustein auf (5 mm x 6 mm). In Vergleichstests konnte die Betriebstemperatur – zusammen mit einem geeigneten Kühlkörper – für 30-V-MOSFETs bei Strömen von über 30 A um mehr als 34 % verringert werden. In einigen Designs kann der geringere Wärmewiderstand des DSOP-Advance-Gehäuses sogar den Kühlkörper erübrigen.

Toshiba wird das neue Gehäuse für seine bestehenden UMOS-VIII-H und seine neuen UMOS-IX-H MOSFETs anbieten. Diese Bausteine bieten einen niedrigen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) und eine geringe Ausgangskapazität, um effiziente Schaltleistung zu garantieren. DSOP-Advance-Gehäuse stehen vorerst für MOSFETs mit den Nennspannungen 30 und 100 V zur Verfügung.

Zu den Einsatzbereichen der DSOP-Advance-MOSFETs zählen Hochleistungs-Schaltanwendungen wie die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen für Server und Telekommunikationssysteme sowie Elektrowerkzeuge.