Die n-Kanal-MOSFETs TK3R1P04PL, TK4R4P06PL und TK6R7P06PL unterstützen 4,5-V-Logiklevel-Ansteuerungen und bieten einen Durchlasswiderstand (RDS(On)) ab 3,1 mΩ (bei UGS = 10 V). Untergebracht in einem kompakten DPAK-Gehäuse eigenen sich die MOSFETs für hocheffiziente Anwendungen zur Energieumwandlung, darunter AC/DC- und DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile und Motorantriebe.

Die von Toshiba vorgestellten N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V eignen sich für den Einsatz in der Energieumwandlung, beispielsweise in AC/DC- und DC/DC-Wandlern.

Die von Toshiba vorgestellten N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V eignen sich für den Einsatz in der Energieumwandlung, beispielsweise in AC/DC- und DC/DC-Wandlern. Toshiba

Der TK3R1P04PL ist ein 40-V-MOSFET mit einem maximalen RDS(On)-Wert von 3,1 mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 58 A (bei einer Temperatur von 25 °C). Die 60-V-MOSFETs TK4R4P06PL und TK6R7P06PL haben jeweils einen maximalen RDS(On)-Wert und ID-Nennwert von 4,4 mΩ und 58 A beziehungsweise 6,7 mΩ und 46 A. Alle vorgestellten MOSFETs  zeichnen sich durch niedrige Ausgangsladung Qoss aus, die zur Effizienzoptimierung beiträgt.