Neuer Transistor

Ein neuer Transistor zusammen mit einem neuen Isolator-Material verbessert Geschwindigkeit, Stromverbrauch und reduziert die Wärme. Mit dem “Depleted Substrate Transistor” (DST) und dem neuen Material “High k Gate Dielectric” sollen Stromverlust und -verbrauch gesenkt werden. Der DST-Transistor, ist eine Komponente vom CMOS-Typ. Der Transistor besitzt eine zusätzliche dünne Si-Schicht. Ist der er ausgeschaltet, werden durch eine weitere, dünne isolierende Schicht unerwünschte Verlustströme reduziert. Dadurch hat der Transistor etwa hundertmal weniger Verlust als seine Vorgänger, ist er sehr klein und sehr schnell und braucht trotzdem wenig Strom.
Um den Stromverbrauch weiter zu senken wurde ein neues Material entwickelt, dass das SiO2 ersetzt. Alle Transistoren haben ein Gate-Dielektrikum, ein Material, dass das Gate von der aktiven Region trennt. Der Stromverlust durch die sehr dünne SiO2-Isolatorschicht ist bei konventionellen Transistoren eine der Hauptursachen des Stromverbrauchs. Das neue Material reduziert den Verlust um etwa zehntausendmal verglichen mit SiO2.

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