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Bei einer Eingangsspannung bis zu 80 V beträgt der RDS(on) des CSD19506 2,0 mΩ, während der CSD19536 auf 2,3 mΩ RDS(on) bei 100 V Eingangsspannung kommt.
Es handelt es sich bei den Nex-Fet-MOSFETs um N-Kanal- Bausteine für 40 V, 60 V, 80 V und 100 V.

Zur Erweiterung des Nex-FET-Portfolios präsentierte Texas Instruments (TI) vierzehn Leistungs-MOSFETs mit TO-220- und SON-Gehäusen für Eingangsspannungen von 40 V bis 100 V. Es handelt es sich dabei um N-Kanal-Bausteine für 40, 60, 80 und 100 V, die gute thermische Eigenschaften aufweisen und sich für eine breite Palette von Motorsteuerungs- und Stromversorgungs-Anwendungen mit hohen Stromstärken eignen.

Zwei der 80- und 100-V-FETs bringen es einen niedrigen On-Widerstand der Industrie im TO-220-Gehäuse, ohne eine hohen Gateladung in Kauf nehmen zu müssen. Laut TI profitieren Designer durch eine verbesserte Umwandlungseffizienz bei höheren Strömen. Der RDS(on) des CSD19506 beträgt 2,0 mΩ bei einer Eingangsspannung bis zu 80 V, während der CSD19536 auf 2,3 mΩ RDS(on) bei 100 V Eingangsspannung kommt. Beide Produkte besitzen Kunststoffgehäuse und besitzen eine hohe Avalanche-Festigkeit, sodass sie für Motorsteuerungsanwendungen in Frage kommen.

Das Online-Designtool Webbench eröffnet Designern eine einfache Möglichkeit, die Produkte auszuwählen und ihre Powerdesigns zu simulieren.TI stellte auch eine Reihe von Evaluierungsmodule für seine Produkte vor:

  • Schrittmotor-Vortreiber: Das Evaluationmodul DRV8711EVM kombiniert den Schrittmotor-Controller DRV8711 mit Nex-FET-Bausteinen und dient zum Ansteuern eines bipolaren Hochstrom-Schrittmotors oder zweier bürstenbehafteter Gleichstrommotoren.
  • Motor Drive-Booster-Pack: Bei dem Kit BOOSTXL-DRV8301 handelt es sich um eine 10-A-Treiberstufe für bürstenlose Dreiphasen-Gleichstrommotoren auf Basis des Vortreibers DRV8301 – konzipiert für alle Anwender, die sich mit sensorlosen Ansteuertechniken für bürstenlose Motoren und dem Design von Treiberstufen vertraut machen möchten.
  • Digital Power: Das UCD3138PSFBEVM-027 gibt Entwicklern von Power-Bausteinen die Möglichkeit zum Design eines digital gesteuerten, phasenversetzten 12-V-/360-W-Offline-Leistungswandlers.
  • Point-of-Load-Regelung: Das Evaluationboard TPS40170EVM-597 ist mit den Abwärtswandlern TPS40170 von TI sowie zwei Nex-FET-Bausteinen bestückt.

Die Nex-FET-Technologie für Leistungs-MOSFETs verbessert die Energieeffizienz in Computer-, Netzwerk-, Industrie- und Stromversorgungsapplikationen. Die für hohe Frequenzen ausgelegten analogen Leistungs-MOSFETs ermöglichen Systemdesignern den Zugang zu DC/DC-Wandlerlösungen. Die N-Kanal-Bausteine CSD19506KCS und CSD19536KCS besitzen ein standardkonformes TO-220-Gehäuse mit drei Pins. Ergänzend hat TI FETs für 40 V, 60 V, 80 V und 100 V in bleifreien, 5 x 6 mm großen SON-Gehäusen.