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SemiSouth

Mit ihren vertikalen Trench-JFET-Strukturen erzie­len sie einen sehr niedrigen On­-Wider­stand pro Flächeneinheit. Die neuen 650 V/55 mΩ SiC-JFETs SJDA065R055 weisen einen posi­tiven Temperaturkoeffizienten auf; sie lassen sich dadurch pro­blem­los parallelschalten, sie schalten sehr schnell und ohne „Tail“-Strom bei 150°C. Diese span­nungs­gesteuerten Transistoren zeichnen sich nicht nur durch einen RDS(on) von nur 0,044Ω (typ.) aus, sondern auch durch geringe Gate-Ladung und Eigen­kapa­zi­tät. Typische Anwen­dungen für diese JFETs im TO-220-Gehäuse sind Solar-Wechselrichter, Schalt­strom­versor­gungen, Leistungs­faktor-Korrektur­schal­tungen, Induktionsöfen, unterbrechungsfreie Strom­­ver­sor­gungen und Motorsteue­rungen.SemiSouth