(Bild: Toshiba)
Der Power-MOSFET eignet sich für Automotive-Anwendungen wie DC/DC-Wandler, EPS und Lastschalter. Nach Angaben von Toshiba erzielt der TKR74F04PB „einen führenden RDS(on)-Wert im Markt für 3-Pin-SMD-Leistungs-MOSFETs, die im Automotive-Bereich zum Einsatz kommen“. Der typische On-Widerstand beträgt 0,6 mOhm, der Maximalwert 0,74 mOhm. Das TO-220SM(W)-Gehäuse bietet einen breiteren und kürzeren Source-Anschluss als herkömmliche D2PAK-Gehäuse (TO-263) und benötigt aufgrund seiner geringeren Stellfläche weniger Platz auf der Leiterplatte. Der MOSFET entspricht den Automotive-Qualifikationsanforderungen nach AEC-Q101.
(av)
