Am stärksten sind auf der PCIM 2017 die Produktgruppen Passive Bauelemente (36 Prozent der Aussteller), Leistungshalbleiter (34 Prozent) sowie Wärmebeherrschung und Netzteile / Stromversorgungen (jeweils 23 Prozent) vertreten. Erstmals ist die E-Mobilität mit einem eigenen Bereich in Halle 6 auf der Messe dabei. In diesem Vorbericht zur Messe zeigen wir eine Auswahl der Highlights, die Leistungselektronik-Hersteller, Distributoren und Dienstleister ihren Standbesuchern präsentieren.

Mehr als cooles SiC und GaN bei Infineon

Infineon stellt auf der PCIM 2017 unter anderem die MOSFETs der Cool-SiC-Serie für 1200 V vor, die sich durch geringe Gateladungen und kleine Sperrverzögerungsverluste auszeichnen.

Infineon stellt auf der PCIM 2017 unter anderem die MOSFETs der Cool-SiC-Serie für 1200 V vor, die sich durch geringe Gateladungen und kleine Sperrverzögerungsverluste auszeichnen. Infineon

Infineon stellt auf der PCIM 2017 unter anderem seine Cool-SiC- und Cool-GaN-Bauelemente vor. Der Cool-SiC-MOSFET für 1200 V bietet eine geringe Gateladung, niedrige Kapazitätslevel und weist nahezu keine Sperrverzögerungsverluste auf. Die MOSFETs mit 4 V Schwellspannung sind zu den in IGBTs typischerweise genutzten +15 V / -5 V-Spannungsleveln kompatibel. Durch die hohe Temperaturbelastbarkeit von SiC sind die Bauelemente vor allem für den Automotive-Bereich interessant.

Für hohe Schaltfrequenzen stellt Infineon die 600-V-Enhancement-Mode-HEMTs vor, die das Unternehmen gemeinsam mit Panasonic entwickelte. Mit dabei sind ebenfalls die Cipos-Intelligent-Power-Module für Motoren, Pumpen, Ventilatoren und Heimanwendungen sowie ein Demonstrator der XMC-IoT-Wasserpumpe. Infineon stellt am Stand 412 in Halle 9 auch Konzepte für Kühlkörper und für die Montage von Bipolar-Leistungshalbleitern vor.

Hochvolt-MOSFETs und mehr bei Wolfspeed und Toshiba

Wolfspeed zeigt auf der Messe seine C3M-SiC-MOSFETs für 900 V, 1000 V und 1200 V in Gehäusen mit geringer Induktivität.

Wolfspeed zeigt auf der Messe seine C3M-SiC-MOSFETs für 900 V, 1000 V und 1200 V in Gehäusen mit geringer Induktivität. Wolfspeed, Cree

Wolfspeed ist auf der PCIM 2017 am Stand 242 in Halle 9 mit seinen C3M-SiC-MOSFETs für 900 V, 1000 V und 1200 V vertreten, die in Gehäusen mit niedriger Induktivität untergebracht sind. Das Unternehmen stellt außerdem die 20-kW-Active-Front-End-Demonstrationsplattform vor, die für On-Board- und Off-Board-Ladegeräte eine Verringerung der Verlustleistung von 30 Prozent und mehr liefern soll. Die Plattform für den Automotive-Bereich unterstützt auch den bidirektionalen Leistungsfluss vom Fahrzeug zum Netz.

Am Stand dabei ist auch ein 6,6-kW-Bridgeless-PFC-Boost-Wandler, der in On-Board-Ladegeräten mit hoher Energiedichte zum Einsatz kommt. Das System reduziert laut Hersteller die Zeit bis zur Markteinführung durch Bereitstellung des erforderlichen Layouts für die Entwicklung von effizienten und kompakten Ladegeräten für Elektrofahrzeuge.

Toshiba Electronics Europe stellt am Stand 301 in Halle 9 Hochvolt-MOSFETs für Schaltregler mit Nennspannungen von 600 V bis 900 V bei einem RDS(on) ab 18 mΩ vor.  Außerdem präsentiert das Unternehmen MOSFETs im Niedervoltbereich von 30 V bis 250 V für Schaltregler und Motorsteuerungen, die in Gehäusen mit niedriger Verlustleistung verbaut sind. Zum Messe-Portfolio von Toshiba gehören zudem Motortreiber-ICs mit hohem Wirkungsgrad für 3-phasige, bürstenlose Gleichstrommotoren, integrierte 600 V / 5 A Hochvolt-IPDs zur Vereinfachung der PMW-Kontrolle von BLDC-Motoren sowie Transistor-Arrays mit DMOS-FET-Source-Ausgangstreibern.

 

Auf Seite 2 zeigen wir, was Sie an den Ständen von Rohm Semiconductor, Panasonic und Analog Devices erwartet.

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