pHEMT-Transistor

Agilent Technologies kündigte die Markteinführung des ersten echten Kleinsignal-E-pHEMT-Bauteils an. Es ist das erste Produkt einer Reihe von Transistoren, die einen großen Verstärkungsfaktor, hohe Linearität und geringes Rauschen bieten. Der ATF-54143 vereinfacht die Entwicklung und reduziert die Kosten von Receivern in zellularen/PCS Basisstationen, Multi-Channel Multipoint-Verteilungssystemen und anderen Applikationen für Frequenzbereiche von 450 MHz bis 6 GHz. Für Applikationen wie Verstärker-Türme oder Front-End LNAs in Basis Stationen für GSM, E-GSM und W-CDMA Systeme bei 900 MHz und 1,9 GHz bietet der ATF-54143 spezielle Leistungsmerkmale sowie Größen- und Design-Vorteile. Typisch sind bei 2 GHz: eine Rauschzahl von 0,55 dB, +36 dB Ausgangsübergabepunkt und 17,4 dB Verstärkung. Der Transistor benötigt nur eine einzige +3 V Spannung bei 60 mA Strom.

Agilent Technologies
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