Mit den Bausteinen BAR88-02L und BAR89-02L wurde eine neue PIN-Dioden-Familie für das Design von Antennenschaltern in 2.5G- und 3G-Mobiltelefonen sowie für Bluetooth- und drahtlose LAN-Applikationen vorgestellt. Beide Dioden bieten eine geringe Stromaufnahme für erweiterte Stand-by- und Sprechzeiten in Mobiltelefonen. Die Produktfamilie ist für das Design von verlustarmen Antennenschaltern (Umschalten zwischen Senden und Empfangen) ausgelegt.

Die Diode BAR89-02L ist optimiert für einen geringen Vorwärtswiderstand und damit für eine geringe Einfügedämpfung in Frontend-Modulen, während die Version BAR88-02L für Applikationen mit geringer Stromaufnahme ausgelegt ist. Beide Dioden werden in dem neuen TSLP-2-Gehäuse von Infineon geliefert, bei dem parasitäre Effekte reduziert sind. Dies ist wichtig für alle Bauelemente, die im Funkfrequenzbereich von bis zu 2,5 GHz arbeiten, was für alle wichtigen Mobilfunk- und mobile Internet-Standards wie 2.5G oder 3G der Fall ist. Mit Abmessungen von nur 1,0 mm x 0,6 mm x 0,4 mm reduziert das TSLP-Gehäuse die erforderliche Boardfläche, auch ein Kriterium für mobile 2.5G- und 3G-Applikationen.