Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.

Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen. Wolfspeed

Einer der prominentesten Anwender eines Full-SiC 400 A Power-Moduls auf Basis des 900 V, 10 mΩ Chips ist die Ford Motor Company in Kooperation mit der US-amerikanischen Energiebehörde. Sie setzt das Modul von Wolfspeed in einer Version mit vier parallel geschalteten MOSFETs ein und erreicht damit einen Rds(on) von 2,5 mΩ. Darauf aufbauend hat Wolfspeed eine weitere Modulvariante mit 800 A, 1,25 mΩ entwickelt.

Der CPM3-0900-0010A ist für eine Dauerleistung von 196 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ausgelegt. Anders als Silizium-MOSFETs besitzt der CPM3 als SiC-MOSFET eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Sperrverzögerungszeit (Qrr), was den Einsatz externer antiparalleler Dioden überflüssig macht. SiC-MOSFETs lassen anders als Si-IGBTs Lawinendurchbrüche bei Spannungsspitzen kontrolliert ablaufen, arbeiten bei höheren Schaltfrequenzen und sind deutlich kompakter. Derzeit wird der MOSFET als Chip bei SemiDice angeboten, ist in Kürze jedoch auch als diskretes Bauteil in einem  4L-TO247-Gehäuse verfügbar. Der Chip wurde für den kommerziellen Einsatz bei 175 °C getestet und soll eine hohe Zuverlässigkeit auch in anspruchsvollen Umgebungen wie beispielsweise im Elektroautomobil bieten.