Automotive-MOSFET TCM-0070

Automotive-MOSFET TCM-0070 Toshiba

Neue Chiptechnologien erreichen höhere Wirkungsgrade sowie mehr Stabilität und Zuverlässigkeit in kleineren Bauformen. Trench-Gate-Prozesse wie UMOS 8 sind heute Standard in der Fertigung von Leistungs-MOSFETs. Die Chip-/Die-Flächen weisen einen geringen Durchlasswiderstand RDS(ON) sowie eine niedrige Gate-Kapazität aus und ermöglichen eine Strombelastbarkeit von bis zu 200 A. Zusammen mit hochintegrierten Gate-Treiber-ICs bieten sie einen zuverlässigen und platzsparenden Ersatz für herkömmliche elektromechanische Relais. In einem kostenlosen Download des E-Books erfahren Sie, wie neue Halbleiterprozesse leistungsfähigere MOSFETs ermöglichen und wie die Gehäuseweiterentwicklung eine höhere Zuverlässigkeit und Strombelastbarkeit erreicht und kleinere Leistungs-MOSFETs ermöglicht.

Leistungselektronik in fortschrittlichen Automotive-Anwendungen