Erster IGBT mit SiC-Schottky-Diode

Der CID150660 von Cree (Vertrieb: Eurocomp) ist der erste IBGT mit SiC-Schottky Recoverydiode. Mit dem Einsatz dieser neuartigen CoPack NPT-IGBTs werden die Schaltverluste stark verringert. Waren bislang durch die moderaten Feldstärken der schnellen ( Schaltzeiten <50ns) bipolaren Si-Schottky-Dioden, die Applikationen auf 200V begrenzt, hat sich durch den Einsatz der SiC-Technologie die Breakdown-Feldstärke um den Faktor 10 verbessert und die Fertigung von unipolaren Hochspannungs-Schottky-Dioden war möglich.

Die SiC-Schottky-Diode zeigt beim Abschalten keinen Spannungsüberschwinger, es zeigt sich auch, dass die Abschaltverluste der SiC-Version nur 1% der Si-Variante im Worstcase ausmachen. Festzustellen ist auch, das die Verlustleistung der CoPack IGBT mit SiC-Schottky nur 85µJ beträgt verglichen zu 470µJ eines Standard-Si-Bauteils. Bei Einsatz von CoPack in einer Inverter-Applikation ergibt sich eine Reduzierung der Verlustleistung um 35%.

Hervorzuheben ist auch die gute EMV des Bauteils und der rechteckförmige RBSOA (Reverse Bias Save Operating Area) Die wesentlichen Daten des ersten IGBT CID150660 von Cree mit Schottky-Diode sind: VCES=600V, Ic = 15A (bei 100°C Tc), Icm= 62A, Tsc = >10 µs und Vce(on) = 1,8 V typ. (positiv). Der IGBT ist sehr robust gegenüber Transienten und verfügt in Parallelschaltung über eine sehr gute Stromaufteilung. Typischer Einsatzbereichs des IGBTs im bleifreien 3polige TO-220-Gehäuse sind Motorsteuerungen mit Leistungen von 2 bis 3 HP. Eurocomp wird in Kürze weitere IGBT-SiC-Schottkydioden Kombinationen anbieten.