Qimonda-DRAMs: noch in 2008 1 Gbit-DDR2 in 65 nm

Qimonda-DRAMs: noch in 2008 1 Gbit-DDR2 in 65 nm

Die „Buried-Wordline“-DRAM-Technologie von Qimonda soll „hohe Leistungsfähigkeit, niedrigen Stromverbrauch und kleine Chipgrößen kombinieren“, betonten Firmenvertreter auf der Messe Embedded World in Nürnberg. Zunächst führt Qimonda führt diese Schlüsseltechnologie allerdings für Strukturbreiten von 65 nm ein.

Der Produktionsbeginn der entsprechenden 1-Gbit-DDR2-Speicherchips ist für die zweite Jahreshälfte des Kalenderjahres 2008 geplant. „Diese neue Technologie hat Verbesserungspotenziale bei Produktivität und Kosten pro Bit, die in der Geschichte unseres Unternehmens einmalig sind,” erklärte Kin Wah Loh, Vorstandsvorsitzender der Qimonda AG: „Wir sind die Ersten in unserer Industrie, die eine Technologie-Roadmap zur Einführung der 30-nm-Generation vorlegen, die kleinste Zellgrößen von 4F² ermöglichen wird.

Dieser Schritt eröffnet uns auch die Möglichkeit zu weiteren Partnerschaften.“ Qimonda plant den Start der Massenfertigung seiner 46-nm-Buried Wordline-Technologie für die zweite Jahreshälfte 2009. Diese Strukturbreite ermöglicht mehr als doppelt so viele Bit pro Wafer im Vergleich zur 58-nm-Trench-Technologie.

Für die Umstellung von der aktuellen Trench-Technologie auf die Buried-Wordline-Technologie erwartet Qimonda einen zusätzlichen, einmaligen Investitionsaufwand in Höhe von etwa 100 Millionen Euro in den Geschäftsjahren 2009 und 2010, der voraussichtlich über den Cashflow finanziert wird. Dieser relativ geringe zusätzliche Investitionsaufwand resultiert aus der Kombination von Qimonda’s Buried Wordline und vereinfachten Fertigungsprozessen mit einem marktüblichen Stack-Kondensator. (av)