Renesas gibt die bevorstehende Verfügbarkeit des RJK0383DPA bekannt. Dieser duale Leistungs-MOSFET ist für den Einsatz in Synchrongleichrichtern für DC/DC- Wandler vorgesehen. Der Baustein verleiht Netzteilen einen höheren Wirkungsgrad und kann für die Stromversorgung von Speichern oder ASICs beispielsweise in Laptop-PCs und Kommunikationsgeräten dienen. Muster stehen ab Oktober 2008 zur Verfügung.

Der RJK0383DPA enthält zwei Leistungs-MOSFETs unterschiedlicher Bauart, die zu einem Synchrongleichrichter-DC/DC-Wandler verschaltet sind. Das WPAK-Gehäuse des Bausteins zeichnet sich durch hohe Wärmeableitfähigkeit aus und misst nur 5,1 x 6,1 mm bei 0,8 mm Höhe (max.). Der RJK0383DPA enthält zwei Leistungs-MOSFETs unterschiedlichen Typs, von denen einer als high-side Element und der andere als low-side Element fungiert.

Der high-side Leistungs-MOSFET hat eine Gate-zu-Drain-Ladung (Qgd) von 1,5 nC (bei VDD = 10 V), was eine hohe Schaltgeschwindigkeit und einen entsprechend hohen Wirkungsgrad ermöglicht. Dagegen besitzt der low-side Leistungs-MOSFET einen niedrigen RDS(on)) von 3,7 mOhm) (typ. bei 4,5 V), um die Leitungsverluste zu reduzieren.

Zusätzlich ist eine Schottky Barrier Diode (SBD) in den Chip des low-side MOSFET integriert, um die Verdrahtungs-Induktivität zwischen beiden Bauelementen zu verringern. 435ei0808