Die N-Kanal MOSFETs wurden auf einen sehr hohen Wirkungsgrad hin entwickelt.

Die N-Kanal MOSFETs wurden auf einen sehr hohen Wirkungsgrad hin entwickelt.On Semiconductor

Die MOSFET-Familien NTMFS4Hxxx und NTTFS4Hxxx von On Semiconductor eignen sich sehr gut als Schaltbausteine in einem breiten Anwendungsspektrum, darunter Server und Netzwerkgeräte sowie DC-DC-Wandler mit hoher Leistungsdichte, oder zur Unterstützung der synchronen Gleichrichtung in PoL (Point-of-Load-) -Modulen. Verfügbar sind Ausführungen mit oder ohne integrierte Schottky-Diode.

Eine RDSon-Performance von 0,7 mΩ sowie eine geringe Eingangskapazität von 3780 pF stellt sicher, dass Schalt- und Leitungsverluste minimiert werden. Außerdem wurde dem Ziel, dass die MOSFETs im Vergleich zu bereits vorhandenen Bausteinen eine verbesserte Wärmeleistung sowie einen geringen  thermischen Widerstand und geringere parasitäre Induktivitäten aufweisen, größte Beachtung geschenkt.

Die Bausteine NTMFS4H01N, NTMFS4H01NF, NTMFS4H02N und NTMFS4H02NF sind in bleifreien S08-FL-Gehäusen lieferbar; ihre Preise liegen bei je 2,99, 3,06, 1,86 beziehungsweise 1,93 US-Dollar in Stückzahlen von 1500, während die Typen NTTFS4H05N und NTTFS4H07N in bleifreien µ8-FL-Gehäusen zu Preisen von je 0,86 beziehungsweise 0,67 US-Dollar in Stückzahlen von 1500 angeboten werden.