Die neuen IGBTs mit niedriger Sättigungsspannung, die für Schaltfrequenzen im Bereich von 50 Hz bis 20 kHz optimiert wurden, liefern niedrige statische und dynamische Verluste.

Die neuen IGBTs mit niedriger Sättigungsspannung, die für Schaltfrequenzen im Bereich von 50 Hz bis 20 kHz optimiert wurden, liefern niedrige statische und dynamische Verluste.
Infineon

Die L5-Familie basiert auf der Trenchstop-5-Dünnwafer-Technologie, deren systembedingt ohnehin niedriger Leitungsverlust durch eine zusätzliche Optimierung des Ladungsträgerkanals weiter reduziert wurde. Damit können ganz neue Wirkungsgrade erzielt werden. Verbesserungen um bis zu 0,1 % in einer NPC 1-Topologie oder bis zu 0,3 % in einer NPC 2-Topologie sind möglich, wenn die vorhergehenden Versionen der Trenchstop IGBTs durch die L5-Familie ersetzt wird. Zusammen mit dem positiven Temperaturkoeffizienten des V CE(sat) bleibt der hohe Wirkungsgrad erhalten und erlaubt zudem die Parallelisierung mehrerer Bauteile. Der Gesamtschaltverlust beträgt maximal 1,6 mJ bei 25 °C. Speziell bei Anwendungen mit geringer Schaltfrequenz führt die L5-Familie dadurch zu einem höheren Wirkungsgrad, verbesserter Zuverlässigkeit und kleinerer Systemabmessung.

Zunächst werden die IGBTs im TO-247-3pin-Gehäuse auf den Markt gebracht. Darüber hinaus werden sie auch im TO-247-4pin-Kelvin-Emitter-Gehäuse angeboten, welches im Vergleich zum TO-247-3pin-Gehäuse die Schaltverluste um weitere 20 % senkt.