Die L5-Familie basiert auf der Trenchstop-5-Dünnwafer-Technologie, deren systembedingt ohnehin niedriger Leitungsverlust durch eine zusätzliche Optimierung des Ladungsträgerkanals weiter reduziert wurde. Damit können ganz neue Wirkungsgrade erzielt werden. Verbesserungen um bis zu 0,1 % in einer NPC 1-Topologie oder bis zu 0,3 % in einer NPC 2-Topologie sind möglich, wenn die vorhergehenden Versionen der Trenchstop IGBTs durch die L5-Familie ersetzt wird. Zusammen mit dem positiven Temperaturkoeffizienten des V CE(sat) bleibt der hohe Wirkungsgrad erhalten und erlaubt zudem die Parallelisierung mehrerer Bauteile. Der Gesamtschaltverlust beträgt maximal 1,6 mJ bei 25 °C. Speziell bei Anwendungen mit geringer Schaltfrequenz führt die L5-Familie dadurch zu einem höheren Wirkungsgrad, verbesserter Zuverlässigkeit und kleinerer Systemabmessung.
Zunächst werden die IGBTs im TO-247-3pin-Gehäuse auf den Markt gebracht. Darüber hinaus werden sie auch im TO-247-4pin-Kelvin-Emitter-Gehäuse angeboten, welches im Vergleich zum TO-247-3pin-Gehäuse die Schaltverluste um weitere 20 % senkt.
(ah)