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Torex Semiconductor führt die drei Schottky-Dioden XBS013R1DR-G, XBS013V1DR-G und XBS013S1CR-G ein. Diese sind in einem kleinen Gehäuse mit einem 0,3-mm-Profil untergebracht. Die erstgenannten Komponenten ermöglichen einen max. Durchlassstrom von 100 mA und max. Vorwärtsspannungen von 460 bzw. 370 mV. Die max. Sperrspannung liegt bei 30V und der Leckstrom beträgt max. 0,3 bzw. 7 mA. Beide Bausteine weisen einen Stoßstrom-Grenzwert von 0,5 A max. auf. Die zulässige Sperrschichttemperatur beträgt 150° C. Die Diode XBS013S1CR-G verfügt über einen max. Durchlassstrom von 100 mA. Bei Betrieb auf diesem Niveau liegt die max. Durchlassspannung bei 1 V. Die Sperrspannung beträgt 30V, der Leckstrom 2 mA (jeweils max.) bei einer Sperrspannung von 25 V.