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Schnelle Evaluierung und einfache Ansteuerung mit marktgängigen Mosfet-Treibern verspricht das Demo-Board von Semisouth. Es zeigt das SiC-JFETs in einer Kaskaden-Halbbrücken-Anwendung.
Dieter Liesabeths, VP of Sales and Marketing, Semisouth in München.

Die Demo-Board-Plattform ermöglicht eine schnelle Evaluierung des JFETs SJDP­120­R085 und eignet sich für zahlreiche Anwendungen, etwa für Aufwärts- und Abwärtsregler, Inverter, PSU-Halbbrücken-Leistungsstufen und andere. In der Kaskadenschaltung wird der JFET durch die Source eines Mosfets angesteuert; dadurch ist es möglich, marktgängige Mosfet-Treiber einzusetzen. Die selbstleitenden 1200-V-Leistungs-JFETs SJDP120R085 erlauben hohe Schaltgeschwindigkeiten und sind kompatibel mit den Standard-Schaltungen für Gate-Treiber; zudem weisen sie einen positiven Temperaturkoeffizienten auf und lassen sich problemlos parallel schalten. Die JFETs zeichnen sich durch hohen Sättigungsstrom (27 A), kleinen On-Widerstand pro Flächeneinheit (maximal 85 mΩ) und verbessertes Schaltverhalten aus.

Das Demo-Board wird mit Gerber-Dateien und einer Materialliste geliefert. Dieter Liesabeths, VP of Sales and Marketing, kommentiert: „Unsere SiC-JFETs setzen in der Branche den Leistungsmaßstab, und wir unterstützen sie mit den besten Design-Tools, die es gibt.“