Atmel bietet seinen SiGe-Foundry-Service jetzt auch für den SiGe2-Power-Prozeß an, der gegenüber dem SiGe1-Power Prozeß von 0,8 auf 0,5 Micron geschrinkt wurde. Der Prozeß ist für hohe Stromdichten optimiert und bietet Schaltgeschwindigkeiten bis 35/45 GHz und Grenzfrequenzen bis 90 GHz sowie Durchbruchspannungen von 6/4 Volt.


www.atmel.com/products/SiGeBipolar/