Die Bausteine sind kompatibel zu den IGBT-typischen +15/-5-V-Spannungen und verfügen über eine Schwellenspannung von 4 V sowie eine applikationsorientierte Kurzschluss-Robustheit bei voll steuerbarer dv/dt-Charakteristik. Zu den Vorteilen gehören temperaturunabhängige Schaltverluste und eine Einschalt-Charakteristik ohne Schwellenspannung. Erste Bausteine sind in drei- oder vierpoligen TO247-Gehäusen untergebracht und mit einem Durchlasswiderstand von 45 mΩ spezifiziert. Typische Anwendungen sind Photovoltaik-Inverter, USVs sowie Batterielade- und Energiespeichersysteme. Spätere Konfigurationen werden auch industrielle Antriebe unterstützen. Zur Cool-SiC-Familie gehören außerdem Schottky-Dioden und 1200-V-J-FETs sowie eine Reihe hybrider Lösungen mit Si-IGBT und SiC-Diode in einem Modul. Die 1200-V-Leistungsmodule kombinieren eine Pressfit-Verbindung mit einem guten thermischen Interface und geringen Streu-Induktivitäten mit einem robusten Design und sind mit Durchlasswiderständen von 11 oder 23 mΩ verfügbar.