Außerdem sind die MOSFET-Bauelemente in Gehäusen untergebracht, die zu den kleinen ihrer Art gehören. Toshibas neue TPC6-MOSFETs werden im eigenen VS-6-Gehäuse mit sechs Anschlüssen ausgeliefert, das einen Platzbedarf auf der Leiterplatte von nur 3,1 x 1,8 mm einnimmt und eine Höhe von 0,85 mm aufweist. Die geringe Größe der Bauteile macht deren Einsatz in tragbaren, batteriebetriebenen Geräten möglich. Der integrierte Schutz gegen elektrostatische Entladungen ist besonders vorteilhaft beim Einsatz in Mobiltelefonen.


Die MOSFETs eigenen sich somit gut für Entwickler, die den Platzbedarf und die Anzahl der Bauelemente in Leistungsschaltkreisen immer weiter reduzieren müssen, wie es z.B. bei Festplattenlaufwerken und Set-Top-Boxen der Fall ist. Die neuen, in Trench-Technoloige entwickelten VS-6-MOSFETs bieten einen um 700% geringeren Einschaltwiderstand  verglichen zu den Bauteilen, die in herkömmlicher Planar-Siliziumtechnologie hergestellt werden. Das Gehäuse verträgt 2.2 W Verlustleistung und der maximale Betriebsstrom beträgt 6 A. .