Toshiba kündigt einen Spannungsregler-IC für Anwendungen in der Automobilelektronik an, der weltweit den geringsten Leistungsverbrauch zum Vergleich anderer Bauteile dieser Art erzielen soll.


Der neue TB9001FN weist einen Leistungsverbrauch von 95 µA auf, womit der Baustein etwa 20 Prozent weniger Energie verbraucht als der effizienteste, derzeit existierende Spannungsregler-IC von Toshiba. Dieser niedrige Leistungsverbrauch wird durch den Einsatz der BiCD*-Prozesstechnologie und optimierter interner Schaltkreise erzielt.


Neben einer niedrigen Leistungsaufnahme bietet der neue Chip auch einen integrierten Schaltkreis für eine 32-KHz-Sub-Clock. Dieser Schaltkreis ersetzt externe Komponenten wie stoßempfindliche Quarze und Keramiken, wie sie heute zur Aktivierung von Diebstahlsicherungen in Fahrzeugen bei abgestelltem Motor und Mikrocontroller-LSIs im Sleep-Modus zu finden sind. Diese Leistungsmerkmale ermöglichen eine höhere Batterielebensdauer und eine stabile Ausgangsspannung über einen weiten Betriebstemperaturbereich hinweg.


Der Fortschritt in der Automobilelektronik erhöht immer mehr die Anzahl von Mikrocontrollern in einem Fahrzeug. Dazu zählen auch jene MCUs, die Diebstahlsicherungen, automatische Schließsysteme und CAN-Systeme (Car Area Network) steuern. Diese fortschrittlichen Leistungsmerkmale verbrauchen mehr Strom, auch wenn der Motor abgestellt ist, sodass sich für die Autobatterie höhere Anforderungen ergeben. Toshibas neuer Spannungsregler unterstützt die Automobilindustrie in der Hinsicht, dass für dieses Problem nun eine Lösung gefunden wurde. Mit einem Leistungsverbrauch von gerade einmal 95 µA und dem integrierten Sub-Clock-Schaltkreis, erhöht der neue IC die Batterielebensdauer und ermöglicht das Design zuverlässigerer Systeme.


Der TB9001FN bietet eine Ausgangsspannung von 5 V ±3% und verarbeitet eine maximale Eingangsspannung von 45V für 1 s bei 25ºC. Die integrierten Leistungsmerkmale bieten einen Low-Voltage-Reset und Power-on-Reset sowie einen Watchdog-Timer und einen justierbaren Strombegrenzer (zusammen mit einem externen Widerstand). Ein externer Ausgangstransistor ermöglicht die Bereitstellung des optimalen Ausgangsstroms.


Der TB9001FN wird im Kunststoffkleingehäuse SSOP20 ausgeliefert. Der Betriebstemperaturbereich reicht von –40 bis 125ºC. Samples sind ab sofort verfügbar, der Beginn der Volumenproduktion ist für das zweite Quartal 2003 geplant. *BiCD: Integration von Bipolartransistoren, CMOS-FET und Hochspannungs-/ Hochstrom-DMOS für Treiberstufen.