Die Abhängigkeit des RDS(on) von der Temperatur wurde bei den SiC-MOSFETs von Microsemi weiter verringert.

Die Abhängigkeit des RDS(on) von der Temperatur wurde bei den SiC-MOSFETs von Microsemi weiter verringert.Eurocomp

Wie aus dem Bild zu erkennen, bleibt der RDS(on) beim SiC-MOSFET 70A/700-V-Typ APT70SM70 über einen weiten Bereich stabil. Er nimmt sogar bis zu einer Sperrschichttemperatur von 100 °C ab. In Kürze gibt es die 35-A-downscale-Version des 700-V-Typs, ein 140-A-upscale-Typ ist bereits lieferbar. Bemerkenswert beim 1200-V-SiC-MOSFET APT40SM120B ist neben dem niedrigen RDS(on) von 80 mΩ dessen Avalanchefestigkeit von 2,3 J bei 20 A. Die hohe Avalanchefestigkeit wird unter anderem durch ein robustes Guardring-Design erzielt.