Genf, den 4. Dezember 2006 – STMicroelectronics gibt die uneingeschränkte Verfügbarkeit seiner gesamten NAND-Flash-Speicher-Familie in 70-nm-Technologie bekannt.

Die Umstellung der Small-Page-Bausteine mit 512 MBit und Large-Page-Speicher mit 1, 2, 4 und 8 GBit auf den hoch entwickelten 70-nm-Prozess von ST positioniert die Familie an der Spitze der NAND-Flash-Technologie, gepaart mit günstigeren Preisen und niedrigerer Verlustleistung. Die Speicherchips mit ihrer hohen Speicherdichte sind für den Einsatz als Massenspeicher in einer breiten Palette von Computer- und Consumer-Applikationen vorgesehen, entsprechend arbeiten sie an 1.7 bis 1.95V bzw. 2.7 bis 3.6V.

Anwendungsbeispiele sind Digitalkameras, PDAs, GPS-Navigationssysteme, Flash Cards, USB-Sticks, Drucker, Set-Top-Boxen (STBs), digitale Fernsehgeräte, Car-Multimedia-Systeme und Mobiltelefone mit Multimedia-Features. Sämtliche Bausteine der Familie warten mit hohem Datendurchsatz und schnellen Löscheigenschaften auf. Die Adressleitungen sowie die Daten-Ein- und Ausgänge sämtlicher Bausteine der Familie sind auf einen 8- oder 16-Bit-Bus gemultiplext, was den Pin-Count verringert und die Verwendung eines modularen NAND-Interface gestattet.

Systeme können damit ohne Änderung des Footprints auf Speicherbausteine mit höherer (oder auch geringerer) Dichte umgestellt werden. Eine von ST verfügbare Software-Toolchain ermöglicht die rasche Entwicklung von Produkten mit den neuen Speicherchips und kann gleichzeitig zur Verlängerung der Nutzungsdauer beitragen.

Zu den gebotenen Tools gehören eine Error Correction Code (ECC) Software, Bad Block Management (BBM) zum Erkennen und Ersetzen von Blöcken, in denen Lösch- oder Programmier-Operationen Fehlschlagen, durch Kopieren der gespeicherten Daten in fehlerfreie Blöcke, Wear-Leveling-Algorithmen (diese sorgen durch gleichmäßige Verteilung der Lösch- und Programmier-Operationen auf alle Blöcke für eine ausgeglichene Abnutzung des Bausteins), native Referenz-Software für die Dateisysteme der jeweiligen Betriebssysteme sowie Hardware-Simulationsmodelle.

Der Speicher ist in Blöcke gegliedert, die seitenweise gelesen und programmiert werden können. Jede Seite enthält einen Reserve-Bereich, der in der Regel für Error Correction Codes, Software-Flags und das Identifizieren fehlerhafter Blöcke genutzt wird. Ein Copy Back Program Modus macht es möglich, die auf einer Seite gespeicherten Daten ohne externe Pufferung direkt in eine andere Seite zu programmieren.

Verfügbar ist ebenfalls ein Block-Erase-Befehl mit einer Löschzeit von 2 ms. Jeder Block ist für 100.000 Programmier/Lösch-Zyklen und einen Datenerhalt von 10 Jahren spezifiziert. Ein besonderes, als ,Chip Enable Don“t Care“ bezeichnetes Feature der Bausteine vereinfacht die Mikrocontroller-Schnittstelle und rationalisiert die Verwendung von NAND-Flash-Speichern gemeinsam mit anderen Speichertypen wie zum Beispiel NOR-Flash und xRAM. Derartige Speicher-Kombinationen werden häufig dort eingesetzt, wo als Code- und Arbeitsspeicher schnelle Bausteine benötigt werden, während zum Speichern größerer Dateien die deutlich kostengünstigeren und mehr Kapazität bietenden NAND-Speicher bevorzugt werden.

Die F70 SLC NAND-Flash-Speicher sind ab sofort in großen Stückzahlen lieferbar.

Sie bieten folgende Merkmale: Typ Organisation Betriebsspannung Gehäuse

NAND512xxA2C 32 pages x 4096 blocks 1.7 to 1.95V, 2.7 to 3.6V TSOP48, VFBGA63 9×11 NAND01GxxB2B 64 pages x 1024 blocks 1.7 to 1.95V, 2.7 to 3.6V TSOP48, VFBGA63 9×11 NAND02GxxB2C 64 pages x 2048 blocks 1.7 to 1.95V, 2.7 to 3.6V TSOP48, VFBGA63 9.5×12 NAND04GW3B2B 64 pages x 4096 blocks 2.7 to 3.6V TSOP48 NAND08GW3B2A 64 pages x 8192 blocks 2.7 to 3.6V TSOP48