Strahlungsfester 1.000-V-MOSFET

International Rectifier stellt den ersten strahlungsfesten 1.000-V-Power-MOSFET vor ? die bisher lieferbare Nennspannung für Rad-Hard-MOSFETs war 600 V. Der RAD-Hard Power-MOSFET IRHY7G30SE verbessert Leistungsmanagement-Schaltungen und Hochfrequenz-Schaltsysteme in Satellitenkommunikations-Systemen, indem er die Zahl der Bauelemente auf ein Minimum verringert. Der IRHY7G30SE ersetzt nicht nur weniger effiziente bipolare Transistoren in Hochspannungsanwendungen, er ermöglicht es Entwicklern außerdem, sichere Derating-Bedingungen zu realisieren, ohne dass eine Einbuße an Funktionalität hingenommen werden muss.
Der Baustein ist widerstandsfähig gegen den Einzelereignis-Effekt (SEE ? Single Event Effect) bis LET = 37 MeV / (mg/cm2), und behält seine elektrischen Werte praktisch unverändert bis zu einer Gesamtdosis von 100 Krad (Si). Die Strahlungsfestigkeit des 1.000-V-MOSFETs ist der von Bipolar-Transistoren, die normalerweise bei niedrigen Gesamtdosispegeln arbeiten und ein beträchtliches Derating für den SEE benötigen, weit überlegen. Das Produkt ist in den Gehäusen JEDEC TO-205AF (TO-39), TO-254AA und TO-257AA erhältlich; darüber hinaus kann es auch in kundenspezifischen Gehäusen geliefert werden. Typische Anwendungen umfassen Wanderwellenröhren-Verstärker (TWTAs), die zur Verstärkung von Mikrowellensignalen in Satellitenkommunikations-Systemen dienen.

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