Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W.

Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W. ST Microelectronics

Die Superjunction-MOSFETs haben einen RDS(on) von weniger als 100 mΩ und werden in einem DPAK-Gehäuse angeboten. Niedrige Gateladungen sollen die Schaltzeit verkürzen und das Bauelement für Anwendungen qualifizieren, die einen breiten Eingangsspannungsbereich benötigen. Die MOSFETs eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern (Standard-, Quasiresonanz- und Active-Clamp-Varianten) mit Leistungen von 35 W bis 230 W. Geringe Eingangs- und Ausgangskapazitäten erlauben in LLC-Resonanz-Halbbrückenwandlern das Schalten im Spannungsnulldurchgang mit geringen Energieverlusten.

Die MDmesh-K5-Serie bietet Nennspannungen von 800 V, 850 V, 900 V, 950 V, 1050 V, 1200 V und 1500 V. Die Bauelemente stehen unter anderem in den Gehäusetypen TO-220AB, TO-220FP, TO-247 Long Lead, IPAK und I2PAK sowie in den oberflächenmontierbaren Leistungsgehäusen D2PAK und DPAK zur Verfügung.