Termin: 15.07.2001 22:00 Uhr - 19.07.2001 22:00 Uhr
Stadt: Gießen
Veranstaltungsadresse: Universität Gießen

Die internationale Konferenz über Defekte in Halbleitern ist eine der wichtigsten Konferenzen auf dem Gebiet der Halbleiterphysik. Halbleiter sind aus dem täglichen Leben nicht mehr wegzudenken, da sie unsere ganze „elektronische“ Umgebung erst möglich machen. Von der Quarz-gesteuerten Uhr über den PC bis zum Mobiltelefon: Entscheidend sind bei all diesen Geräten die Halbleiterbauelemente vor allem aus Silizium, aber auch aus anderen Halbleitern, wie Galliumarsenid für Mobiltelefone oder für die Optoelektronik, in Zukunft allerdings auch Galliumnitrid und Siliziumkarbid für die Herstellung von UV-Lasern bzw. elektronischen Leistungsbauelementen.


Gegenüber der letzten Tagung 1999 in Berkeley/USA erlaubt die zentrale Lage Deutschlands die Teilnahme von erheblich mehr Wissenschaftlern aus den osteuropäischen Ländern, wo nach wie vor das Arbeitsgebiet Halbleiterdefekte intensiv bearbeitet wird. Ein Zentrum dieser Arbeiten in Deutschland bildet der Forschungsschwerpunkt Materialforschung an der Justus-Liebig-Universität Gießen in der Physik. An der Gießener Tagung nehmen etwa 340 Delegierte aus 39 Ländern mit starken Kontingenten aus Deutschland (80), USA (35), Japan (50), Großbritannien (20) und den GUS-Staaten (50) teil.


Im Vordergrund der diesjährigen Tagung stehen neben den Forschungsarbeiten um das Silizium, dem immer noch wichtigsten Halbleiter, solche, die mit der zukünftigen Herstellung von Laser-Licht im blauen und ultravioletten Spektralbereich zusammen hängen (Galliumnitrid, Zinkoxid), einer eminent wichtigen Entwicklung für eine zukünftige Kommunikationstechnologie mit Lichtfasern, aber auch zur energiearmen Erzeugung beliebig farbigen Lichtes für generelle Anwendungen (z.B. großflächige Displays, Weißlichtquellen). Weiterhin stehen Entwicklungen bei den Materialien für die Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik (Mobilfunk) auf dem Tagungsprogramm, und nicht zu vergessen: Probleme bei Solarzellenmaterialien.