Termin: 07.10.2001 22:00 Uhr - 09.10.2001 22:00 Uhr
Stadt: Erlangen
Veranstaltungsadresse: Universität Erlangen-Nürnberg

Vertreter aus Wissenschaft und Industrie werden drei Tage lang über Eigenschaften und Anwendungen von nicht stöchiometrischen III-V Halbleitern diskutieren. Zur dieser Klasse zählt vor allem Galliumarsenid (GaAs), das bei niedrigen Temperaturen gezüchtet wird und deshalb einen Arsenüberschuß aufweist. Dieses Material zeigt interessante physikalische Eigenschaften, die Anwendungen als schnelle Lichtdetektoren oder als Strahlungsquellen im Terahertzbereich nahelegen.