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Antriebsstrang

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Antriebsstrang".
Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter für Elektroautos

Planares SiC-MOSFET für den Antriebsstrang

12.01.2017- ProduktberichtWolfspeed, ein Unternehmen von Cree und Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungsbauelementen, stellt einen 900 V, 10 mΩ SiC-MOSFET in Planartechnologie vor. Der MOSFET soll Umrichterverluste im Antriebsstrang von Elektroautos um bis zu 78% verringern und damit die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Bild 1: Querschnitt einer 60-phasigen ISCAD-Maschine, bei der die Kupferwicklungen herkömmlicher Asynchron-Maschinen entfallen können und durch Aluminiumstäbe mit Kurzschlussring (Statorkäfig) ersetzt werden.
Automotive-Antriebstechnik

ISCAD: Hochleistungsantrieb mit 48 V

14.10.2016- FachartikelIn Betriebsspannungen von 800 V statt der üblichen 400 V sehen Automobilhersteller die Zukunft für Hybrid- und Elektrofahrzeuge. Einen ganz anderen Weg beschreitet das neuartige elektrische Antriebssystem ISCAD (Intelligent Stator Cage Drive), das mit einer Gleichspannung von 48 V als Basis arbeitet und zahlreiche Vorteile verspricht. mehr...

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