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DRAM

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "DRAM".
Bild 2: Die Fehlerrate von LPDRAM hängt ab von Faktoren wie SoC, thermischem Design, DRAM-Dichte sowie DRAM-Prozessierung und Test.
Speicher-Mehr Effizienz, weniger Fehler

LPDDR4/LPDDR4x-Speicher mit Fehlerkorrektur ECC

15.09.2017- FachartikelBei DRAM-Speichern mit Fehlerkorrektur (Error Correcting Code, kurz: ECC) werden Einzelbitfehler erkannt und automatisch korrigiert, um mehr Zuverlässigkeit zu erreichen. Dies ermöglicht eine höhere Speicherdichte und -bandbreite. Zudem unterstützen Einsparungen im Standby- und im Refresh-Verbrauch Niedrigenergiefunktionen. mehr...

Halbleiter-Thron
Branchenmeldungen-Nach 24 Jahren

Intel verliert den Halbleiter-Thron

28.07.2017- NewsWechsel an der Halbleiterspitze: Intel ist nicht mehr länger der umsatzstärkste Chiphersteller der Welt. Die Position, die die Kalifornier 24 Jahre lang innehatten, übernimmt nun Samsung. mehr...

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Branchenmeldungen-Auf dem Sprung zum umsatzstärksten Chiphersteller?

Samsung will 18 Milliarden Dollar in Memory Chips investieren

05.07.2017- NewsAngesichts des florierenden Markts für Speichermedien möchte Samsung seine marktbeherrschende Rolle bei den Memory Chips und Smartphones ausbauen. Dazu plant der südkoreanische Konzern, 18 Milliarden Dollar in die Erweiterung seiner Produktionskapazitäten zu investieren. mehr...

Der taiwanesische Speichermedienhersteller ATP verlegt seine Europazentrale ins oberbayerische Unterschleißheim.
Speicher-Hersteller von Flash-Speichermedien

ATP Electronics verlegt Europazentrale nach Bayern

08.06.2017- NewsATP, taiwanesischer Hersteller von NAND-Flash- und DRAM-Modulen, verlegt seine Europazentrale ins oberbayerische Unterschleißheim und erweitert sie bei dieser Gelegenheit. Hintergrund ist, dass Europa als Zielmarkt für das Unternehmen immer wichtiger wird. Vor allem die 3D-NAND-Technologie sei hier laut ATP besonders nachgefragt. mehr...

Bricht der Markt für DRAM- und NAND-Flash-Speicher nicht ein, könnte Samsung mit dem zweiten Quartal 2017 als umsatzstärksten Halbleiterhersteller ablösen.
Branchenmeldungen-Studie prognostiziert Wechsel an Spitze

Löst Samsung Intel als umsatzstärksten Halbleiterhersteller ab?

03.05.2017- NewsSeit 1993 behauptete sich Intel als weltweit umsatzstärkster Halbleiterhersteller. Nun deutet sich eine kleine Revolution auf dem volatilen Markt an: Samsung könnte die Amerikaner zum zweiten Quartal 2017 in Sachen Umsatz überholen und Intel am Spitzenplatz ablösen, wie eine Studie des Marktforschungsinstituts IC Insights prognostiziert. mehr...

Glyn vertreibt den DRAM-Module von Xmore. Sie sind in Kapazitäten von 2 bis 8 GByte erhältlich.
Speicher-7 Jahre und länger einsetzen

DRAM-Module mit „eingebauter“ Langzeitverfügbarkeit

25.04.2017- ProduktberichtDie DRAM-Module von Xmore sind dank der ICs von Issi sehr langlebig. Der Hersteller verspricht eine Verfügbarkeit von 7 Jahren Jahren ohne Austausch der Chips. Erhältlich sind die Module bei Glyn. mehr...

Ohne Flash-Speicher sind Navigationssysteme nur schwer vorstellbar.
Branchenmeldungen-Wachset und gedeihet!

Swissbit feiert 15-jähriges Bestehen

23.06.2016- NewsSeit ihrer Gründung im Sommer 2001 kann die Swissbit AG auf 15 Jahre profitables Wachstum zurückschauen, in den letzten Jahren kontinuierlich im zweistelligen Bereich. mehr...

Im Reinraum der Universität Magdeburg mit seiner Infrastruktur und seinen Prozessanlagen können unter partikelfreien Bedingungen mikroelektronische Bauelemente hergestellt und untersucht werden.
Branchenmeldungen-Computer-Speichermodule

DFG fördert die Entwicklung permanenter Datenspeicherzellen

23.02.2016- NewsDie Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) fördert Entwicklung permanenter Datenspeicherzellen für Rechnersysteme an der Universität Magdeburg mit 500.000 Euro in den nächsten drei Jahren. Ziel der Forscher ist es, die als Arbeitsspeicher verwendeten, dynamischen DRAM-Speichermodule zu ersetzen. mehr...

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Speicher-Automotive-tauglich

Zuverlässige DRAM-Speicherbausteine für Temperaturen bis 125 °C

24.08.2015- ProduktberichtHohe Temperaturen sind Gift für empfindliche Elektronik. Bei DRAM führt Hitze zu sporadischen Fehlern. Intelligent Memory (Vertrieb: Memphis) beschreitet einen neuen Weg, um die Bausteine selbst bei 125 °C noch zuverlässig arbeiten zu lassen. mehr...

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Samsung entwickelt industrieweit erstes DDR4 DRAM in 30nm Technologie

07.02.2011- NewsSamsung hat die Entwicklung des industrieweit ersten DDR4 DRAM Prototyp-Moduls in 30-nm-Prozesstechnologie abgeschlossen. mehr...

Speicher-Robustes Kurzzeitgedächnis

Halbleiterspeicher für Industrieanwendungen

28.09.2010- ProduktberichtSwissbit hat ein DDR2 COB-SODIMM mit 2 GByte im Portfolio. Das Small-Outline-DIMM mit 200 Pin besteht aus 16 Stück 1-GBit-DDR2-Chips mit Winbond Buried-Wordline-Speicher. mehr...

Speicher-Tempo ohne Limit

DDR3-Speicher anbinden: Schneller im doppelten Sinn

22.06.2010- FachartikelSDRAM mit Double-Data-Rate-Schnittstelle verwendet in Version 3 einen Achtfach-Prefetch: Damit drückt der Speicher aufs Tempo und schafft 8500 Megabyte pro Sekunde. Allerdings nur, wenn die Anbindung Schritt hält. Was Entwickler beachten müssen und wie sie beim FPGA-Design viel Zeit sparen, erklärt Lattice Semiconductor in diesem Beitrag. mehr...

Speicher-Bis 6,4 GByte/s pro Chip

512-Mbit-XDR-DRAM

20.04.2005- ProduktberichtElpida liefert jetzt Muster eines 512-Mbit-XDR-DRAMs aus, das mit 3,2 GHz Taktrate betrieben werden kann und somit einen Daten-Durchsatz von 6,4 GByte/s ermöglicht. mehr...

Speicher-Die Welt der Speicher vom DRAM über Dual-Port-RAM, EEPROM, Flash und FRAM/MRAM bis zum Polymer-Speicher

Vom Dual-Port- bis zum Polymer-RAM

06.10.2003- FachartikelNach wie vor sind DRAMs die Standard-Bausteine der meisten Hardware-Entwickler, während SRAMs nur für Spezial-Anwendungen herangezogen werden und für nichtflüchtige Aufgaben EEPROMs sowie Standard-Flash zum Einsatz kommen. Doch das technologische Umfeld hat sich gewandelt. Speichertypen wie Multi-Level-Flash, FeRAM und MRAM wurden zwar noch vor wenigen Jahren als Zukunftsmusik angesehen, doch diese Produkte sind mittlerweile bereits teilweise in Stückzahlen erhältlich, während die Speicherkapazität kontinuierlich steigt. elektronik industrie gibt im folgenden Beitrag einen Überblick über einzelne Technologien und erläutert diese an Hand von einigen Beispiel-Produkten. mehr...

Speicher-Stromsparender synchroner Vier-Port-Speicher

FourPorts

10.10.2002- ProduktberichtSynchrone FourPort-Bauelemente von IDT zeichnen sich durch eine Stromaufnahme von 230 mA aus. mehr...

Speicher-Ungepufferte 100-polige DIMM-DDRs

DIMM-DDRs

10.10.2002- ProduktberichtDiese 100-poligen DIMMs von Smart gibt es in kompakter Größe mit Dichten von 64 MByte bis 512 MByte. mehr...

Speicher-Embedded-DRAM für SoCs

Embedded-DRAM-Technologie

01.10.2002- ProduktberichtVon NEC ist jetzt eine Embedded-DRAM-Technologie mit minimalen gezeichneten Strukturgrößen von 0,13 µm erhältlich. mehr...

Speicher-Erster Muster der Mobile-RAM-Produktlinie mit einer Speicherkapazität von 128 Mbit

128-Mbit Low-Power DRAM

23.08.2001- ProduktberichtMobile-RAM ist kompatibel zum neuen JEDEC Low Power SDRAM Standard - Zielanwendungen im mobilen Endgeräte-Markt. mehr...

Speicher-SyncFlash bei Nexperia

SyncFlash

28.05.2001- ProduktberichtDie Home-Entertainment-Engines der Familie pnx8320 Nexperia von Philips Semiconductors, die für Settop-Boxen optimiert ist, wird nach Angaben von Philips als erste Lösung die SyncFlash-Speichertechnologie von Micron unterstützen. Damit ist die Code-Ausführung direkt aus einem nichtflüchtigen Speicher auf dem Haupt-SDRAM-Speicherbus möglich. mehr...

Speicher-300-MHz-DDR-SDRAMs

Synchroner Double-Data-Rate-DRAM (DDR-SDRAM)

26.05.2001- ProduktberichtSamsung Electronics entwickelt 300-MHz-DDR-SDRAMs. mehr...

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