DRAM

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "DRAM".
Ohne Flash-Speicher sind Navigationssysteme nur schwer vorstellbar.

Branchenmeldungen-Wachset und gedeihet!

Swissbit feiert 15-jähriges Bestehen

23.06.2016Seit ihrer Gründung im Sommer 2001 kann die Swissbit AG auf 15 Jahre profitables Wachstum zurückschauen, in den letzten Jahren kontinuierlich im zweistelligen Bereich. mehr...

Im Reinraum der Universität Magdeburg mit seiner Infrastruktur und seinen Prozessanlagen können unter partikelfreien Bedingungen mikroelektronische Bauelemente hergestellt und untersucht werden.

Branchenmeldungen-Computer-Speichermodule

DFG fördert die Entwicklung permanenter Datenspeicherzellen

23.02.2016Die Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) fördert Entwicklung permanenter Datenspeicherzellen für Rechnersysteme an der Universität Magdeburg mit 500.000 Euro in den nächsten drei Jahren. Ziel der Forscher ist es, die als Arbeitsspeicher verwendeten, dynamischen DRAM-Speichermodule zu ersetzen. mehr...

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Speicher-Automotive-tauglich

Zuverlässige DRAM-Speicherbausteine für Temperaturen bis 125 °C

24.08.2015Hohe Temperaturen sind Gift für empfindliche Elektronik. Bei DRAM führt Hitze zu sporadischen Fehlern. Intelligent Memory (Vertrieb: Memphis) beschreitet einen neuen Weg, um die Bausteine selbst bei 125 °C noch zuverlässig arbeiten zu lassen. mehr...

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Samsung entwickelt industrieweit erstes DDR4 DRAM in 30nm Technologie

07.02.2011Samsung hat die Entwicklung des industrieweit ersten DDR4 DRAM Prototyp-Moduls in 30-nm-Prozesstechnologie abgeschlossen. mehr...

Speicher-Robustes Kurzzeitgedächnis

Halbleiterspeicher für Industrieanwendungen

28.09.2010Swissbit hat ein DDR2 COB-SODIMM mit 2 GByte im Portfolio. Das Small-Outline-DIMM mit 200 Pin besteht aus 16 Stück 1-GBit-DDR2-Chips mit Winbond Buried-Wordline-Speicher. mehr...

Speicher-Tempo ohne Limit

DDR3-Speicher anbinden: Schneller im doppelten Sinn

22.06.2010SDRAM mit Double-Data-Rate-Schnittstelle verwendet in Version 3 einen Achtfach-Prefetch: Damit drückt der Speicher aufs Tempo und schafft 8500 Megabyte pro Sekunde. Allerdings nur, wenn die Anbindung Schritt hält. Was Entwickler beachten müssen und wie sie beim FPGA-Design viel Zeit sparen, erklärt Lattice Semiconductor in diesem Beitrag. mehr...

Speicher-Bis 6,4 GByte/s pro Chip

512-Mbit-XDR-DRAM

20.04.2005Elpida liefert jetzt Muster eines 512-Mbit-XDR-DRAMs aus, das mit 3,2 GHz Taktrate betrieben werden kann und somit einen Daten-Durchsatz von 6,4 GByte/s ermöglicht. mehr...

Speicher-Die Welt der Speicher vom DRAM über Dual-Port-RAM, EEPROM, Flash und FRAM/MRAM bis zum Polymer-Speicher

Vom Dual-Port- bis zum Polymer-RAM

06.10.2003Nach wie vor sind DRAMs die Standard-Bausteine der meisten Hardware-Entwickler, während SRAMs nur für Spezial-Anwendungen herangezogen werden und für nichtflüchtige Aufgaben EEPROMs sowie Standard-Flash zum Einsatz kommen. Doch das technologische Umfeld hat sich gewandelt. Speichertypen wie Multi-Level-Flash, FeRAM und MRAM wurden zwar noch vor wenigen Jahren als Zukunftsmusik angesehen, doch diese Produkte sind mittlerweile bereits teilweise in Stückzahlen erhältlich, während die Speicherkapazität kontinuierlich steigt. elektronik industrie gibt im folgenden Beitrag einen Überblick über einzelne Technologien und erläutert diese an Hand von einigen Beispiel-Produkten. mehr...

Speicher-Stromsparender synchroner Vier-Port-Speicher

FourPorts

10.10.2002Synchrone FourPort-Bauelemente von IDT zeichnen sich durch eine Stromaufnahme von 230 mA aus. mehr...

Speicher-Ungepufferte 100-polige DIMM-DDRs

DIMM-DDRs

10.10.2002Diese 100-poligen DIMMs von Smart gibt es in kompakter Größe mit Dichten von 64 MByte bis 512 MByte. mehr...

Speicher-Embedded-DRAM für SoCs

Embedded-DRAM-Technologie

01.10.2002Von NEC ist jetzt eine Embedded-DRAM-Technologie mit minimalen gezeichneten Strukturgrößen von 0,13 µm erhältlich. mehr...

Speicher-Erster Muster der Mobile-RAM-Produktlinie mit einer Speicherkapazität von 128 Mbit

128-Mbit Low-Power DRAM

23.08.2001Mobile-RAM ist kompatibel zum neuen JEDEC Low Power SDRAM Standard - Zielanwendungen im mobilen Endgeräte-Markt. mehr...

Speicher

TinyBGA – Hohe Kapazität auf kleinstem Raum

01.06.2001Mit extrem kompakten Speichermodul für die kleinsten und leichtesten Notebooks des Marktes und mit einem der ersten PC 150-DIMMs für übertaktete und künftige PCs der jüngsten Generation beginnt Kingmax seine Rolle in Europa zu verstärken. mehr...

Speicher

Firmware-Migration ohne Redesign: UV-EPROM – OTP – MTP – Flash – ROM

01.06.2001Nichts ist langlebiger als ein Provisorium! Dieser Zynismus entspricht leider allzuoft der Realität und drückt viele Systemhersteller - vor allem solche, die am Markt erfolgreich sind, aber das Kostensenkungs-Potential der größeren Serie nicht ausschöpfen können, weil die Software noch nicht stabil ist oder weil die Größe der Fertigungslose eine günstigere maskenprogrammierte Firmware noch nicht rechtfertigt. Um die gute Nachricht gleich vorwegzunehmen: Es gibt kostenoptimierte Lösungen für alle Fälle und das schon für kleinere Seriengrößen als allgemein bekannt ist. mehr...

Speicher

Embedded DRAM: 0,20 µm Embedded-DRAM-Technologie jetzt verfügbar

01.06.2001Es ist noch kein Jahr her, daß Siemens mit einer nur 0,56 µm 2 kleinen Speicherzelle in der 0,24-µm-Embedded DRAM-Technologie neue Maßstäbe in der Speicherdichte setzte, da fällt mit der nun angekündigten 0,20-µm-Technologie und einer nur noch 0,40 µm 2 kleinen Speicherzelle der nächste Rekord. mehr...

Speicher

Weltweit erste voll funktionsfähige 256-Mbit-DRAM-Chips von 300-mm-Wafern

01.06.2001Semiconductor300, das Joint-venture von Infineon Technologies und Motorola, hat Anfang November einen weiteren wichtigen Erfolg auf dem Gebiet der Halbleiterfertigung erzielt: Die Produktion der weltweit ersten voll funktionsfähigen 256- Mbit-DRAM-Chips in <0,2-µm-Technologie auf 300-mm-Wafern. Damit wird eindrucksvoll das Potential zur weiteren Verkleinerung (Shrink) der trenchbasierten Prozesstechnologie und der Leistungsfähigkeit der zugehörigen 300-mm-Wafer-Produktionseinrichtungen demonstriert. mehr...

Speicher-SDRAM im StackBGA

SDRAM-Komp. StackBGA-Techn.

01.06.2001Mit Kapazitäten von 256 und 512 Mbit produziert Kingmax SDRAMs, die in StackBGAs integriert sind, welche Abmessungen von 13 x 11 x 1,4 mm3 aufweisen, wodurch sich das Volumen im Vergleich zu einem 128-Mbit-DRAM im TSOP um 50% verringert. Mit den 256-Mbit-StackBGA-Komponenten lassen sich beispielsweise marktübliche 144- oder 165polige DIMMs mit einer Speicherkapazität von 1 […] mehr...

Speicher-300-MHz-DDR-SDRAMs

Synchroner Double-Data-Rate-DRAM (DDR-SDRAM)

01.06.2001Samsung Electronics entwickelt 300-MHz-DDR-SDRAMs. mehr...

Speicher-SyncFlash bei Nexperia

SyncFlash

01.06.2001Die Home-Entertainment-Engines der Familie pnx8320 Nexperia von Philips Semiconductors, die für Settop-Boxen optimiert ist, wird nach Angaben von Philips als erste Lösung die SyncFlash-Speichertechnologie von Micron unterstützen. Damit ist die Code-Ausführung direkt aus einem nichtflüchtigen Speicher auf dem Haupt-SDRAM-Speicherbus möglich. mehr...

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