Renesas stellt die schnellsten 4-Gigabit AG-AND Flash-Speicher der Welt mit einer Programmiergeschwindigkeit von 10 MByte/s vor. mehr...
Nicht nur als diskrete Bauelemente für Anwendungen mit hohem Bedarf an Speicherkapazität sind die monolithisch integrierten NAND-Flash-ICs mit 512 Mbit und 1 Gbit Speicherkapazität von Toshiba lieferbar, sondern auch zur Integration in SmartMedia-Karten mit 64 bzw. 128 MByte Speicherkapazität. Der in einem 0,16-µm-Prozess gefertigte 512-Mbit-Flash-Chip wurde gemeinsam von Toshiba und SanDisk entwickelt. Die 1-Gbit-Version besteht […] mehr...
EPROMs im DIL- und PROMs in PLCC-Gehäusen nach Standard-Spezifikation hat der taiwanesische Hersteller Winbond mit den Versionen W27E512, W27E010, W27E20 sowie W27E4002 im Programm, wobei die Zugriffszeiten 70 bzw. 120 ns betragen. Die von Eurodis Enatechnik lieferbaren Bausteine sind binnen 10 ms elektrisch löschbar und damit gleichzeitig EEPROMs. mehr...
Bisher hatte der Entwickler bei der Auswahl von Speicherbauteilen für Kommunikations-Designs wenig Alternativen: Es gab ein oder zwei Nischen-Produkte, die meisten Designs aber nutzten normale SRAM- oder DRAM-Bauteile. Das hat sich geändert. Kommunikation ist die „heißeste““ Halbleiteranwendung, und die fähigsten Köpfe der Branche arbeiten an der Verbesserung des wichtigsten Leistungskriteriums von Kommunikationssystemen - der Bandbreite. Zur Anpassung an die besonderen Designprobleme von Kommunikationssystemen enthalten Speicher für die Kommunikationstechnik oft spezielle Logik und Schnittstellen. mehr...