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Galliumnitrid

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Galliumnitrid".
Für sein Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ wurde Franz Stubenrauch als einer von drei Ingenieuren mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet.
Leistungselektronik-Interview zum Young Engineer Award

„Durch Galliumnitrid gewinnt man einen Freiheitsgrad hinzu“

20.06.2017- InterviewSeit zehn Jahren werden auf der PCIM Europe Konferenz herausragende Erstveröffentlichungen junger Ingenieure aus der Leistungselektronik mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet. In diesem Jahr setzte der 29-jährige Forschungsingenieur und Doktorand Franz Stubenrauch bei seiner Präsentation auf der PCIM-Europe-Konferenz auf Galliumnitrid: Mit seinem Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ überzeugte er die Jury der Konferenz-Direktoren und durfte eine der begehrten Auszeichnungen mit nach Hause nehmen. all-electronics.de hat sich mit Franz Stubenrauch über das Potenzial des Halbleitermaterials unterhalten. mehr...

TI zeigt auf der Electronica 2016 eine Evo-Car-Demo.
Automotive-Industrie 4.0 und Smart Factory

Automobiltechnik der Zukunft

02.11.2016- ProduktberichtTexas Instruments (TI) präsentiert Neuheiten rund um die Themen Zukunft der industriellen Automation und Automobiltechnik. So geht es in einer Industriedemo auf der Electronica 2016 um Technologie für Industrie 4.0 und die intelligente Fabrik der Zukunft – gestützt auf TI-Lösungen für Echtzeit-Ethernet mit Ethercat. mehr...

Tabelle 1: Resistives Schalten im Vergleich zu induktivem Schalten, um den dynamischen RDS(on) zu bewerten.
Leistungselektronik-High-Electron-Mobility-Transistoren

Neue GIT-Struktur verhindert Current-Collapse bei GaN-HEMT-Leistungstransistoren

04.12.2015- FachartikelGaN-Leistungshalbleiter ermöglichen sehr effiziente Stromversorgungen, allerdings hat die Branche mit ihnen viel weniger Erfahrung als bei traditionellen Silizium-Chips. So tritt hier das Current-Collapse-Phänomen auf, das den Baustein zerstören kann. Panasonic erklärt die Grundlagen und stellt ein geeignetes Prüfverfahren vor. mehr...

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Leistungselektronik-600-V-GaN-Transistor im TO-247

Hocheffiziente Wechselrichter bis 3 kW

07.05.2015- ProduktberichtAls 600-V-GaN-Transistor (Galliumnitrid) im TO-247 ermöglicht der TPH3205WS von Transphorm hocheffiziente Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallele Transistoren auskommen. Weitere Merkmale sind der niedrige Einschaltwiderstand von 63 mOhm und 34 A Strombelastbarkeit. mehr...

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Leistungselektronik-Design-In von GaN-Schaltern

Brückenschaltungen im Fokus

28.10.2014- Application NoteTipps und Hintergrund-Infos zum optimalen Einsatz von Galliumnitrid-Leistungsschaltern. mehr...

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Branchenmeldungen-Anwendungstechnik / Partnerschaft mit RMS

Galliumnitrit auf dem Vormarsch

27.05.2013- ProduktberichtGaN Systems entwickelt Halbleiter-Leistungsschalter auf Galliumnitrid-Basis (GaN). Das Unternehmen gab am 14. Mai 2013 sowohl die Verstärkung seines europäischen Teams durch Nigel Springett aus Emmendingen bekannt als auch eine Partnerschaft mit RMS. mehr...

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Leistungselektronik-Den On-Widerstand reduzieren

200 V eGaN-FET von EPC

01.06.2011- ProduktberichtEfficient Power Conversion Corporation (EPC) hat die zweite Generation seiner 200 V eGaN-FETs eingeführt. Die EPC2010-Baureihe kombiniert eine hohe Schaltfrequenz mit hoher Performance. mehr...

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