Galliumnitrid

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Galliumnitrid".
Tabelle 1: Resistives Schalten im Vergleich zu induktivem Schalten, um den dynamischen RDS(on) zu bewerten.

Leistungselektronik-High-Electron-Mobility-Transistoren

Neue GIT-Struktur verhindert Current-Collapse bei GaN-HEMT-Leistungstransistoren

04.12.2015GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen sehr effiziente Stromversorgungen, allerdings hat die Branche mit ihnen viel weniger Erfahrung als bei traditionellen Silizium-Chips. So tritt hier das Current-Collapse-Phänomen auf, das den Baustein zerstören kann. Panasonic erklärt die Grundlagen und stellt ein geeignetes Prüfverfahren vor. mehr...

transphorm-tph3205ws.jpg

Leistungselektronik-600-V-GaN-Transistor im TO-247

Hocheffiziente Wechselrichter bis 3 kW

07.05.2015Als 600-V-GaN-Transistor (Galliumnitrid) im TO-247 ermöglicht der TPH3205WS von Transphorm hocheffiziente Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallele Transistoren auskommen. Weitere Merkmale sind der niedrige Einschaltwiderstand von 63 mOhm und 34 A Strombelastbarkeit. mehr...

hy-line-2-434.jpg

Leistungselektronik-Design-In von GaN-Schaltern

Brückenschaltungen im Fokus

28.10.2014Tipps und Hintergrund-Infos zum optimalen Einsatz von Galliumnitrid-Leistungsschaltern. mehr...

50683.jpg

Branchenmeldungen-Anwendungstechnik / Partnerschaft mit RMS

Galliumnitrit auf dem Vormarsch

27.05.2013GaN Systems entwickelt Halbleiter-Leistungsschalter auf Galliumnitrid-Basis (GaN). Das Unternehmen gab am 14. Mai 2013 sowohl die Verstärkung seines europäischen Teams durch Nigel Springett aus Emmendingen bekannt als auch eine Partnerschaft mit RMS. mehr...

42358.jpg

Leistungselektronik-Den On-Widerstand reduzieren

200 V eGaN-FET von EPC

01.06.2011Efficient Power Conversion Corporation (EPC) hat die zweite Generation seiner 200 V eGaN-FETs eingeführt. Die EPC2010-Baureihe kombiniert eine hohe Schaltfrequenz mit hoher Performance. mehr...

Loader-Icon