GaN

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "GaN".
Hexagonaler GaN-Einkristall mit einem Durchmesser von 2 Zoll. Die Herstellung dieser Einkristalle ist schwierig und teuer, was derzeit den größten Stolperstein für GaN-Bauelemente auf den Weg in den Hochspannungsbereich darstellt.
Leistungselektronik-Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

25.04.2017Seit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt. mehr...

Francois Perraud, Team-Leiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic.
Leistungselektronik-Interview mit Francois Perraud, Team-Leiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic

„Die GaN-Technik sorgt für sehr hohe Effizienz und Leistungsdichte“

06.04.2017Leistungshalbleiter auf Galliumnitrid-Basis (GaN) ermöglichen besonders effiziente Stromversorgungen, allerdings gab es in der Vergangenheit Probleme mit dem Current-Collapse-Phänomen. Im Interview erläutert Francois Perraud, Team-Leiter Power and Automotive Solutions bei Panasonic, wie sich die Verfügbarkeit von Bauelementen mit Hybrid-Drain-Gate-Injection-Transistor-Struktur (HD-GIT) auswirken wird. mehr...

Greg Henderson, Vice President RF and Microwave Business bei Analog Devices. Das Unternehmen baut mit der Übernahme von One Tree Microdevices sein Angebot an ICs für Breitband-Kabelnetze aus.
Firmen und Fusionen-GaN-Verstärker für Breitband-Kabelnetze

Analog Devices übernimmt One Tree Microdevices

03.04.2017Analog Devices erweitert mit der Übernahme des kalifornischen Unternehmens One Tree Microdevices sein Mixed-Signal-Portfolio um Verstärker auf GaAs- und GaN-Basis. Damit vervollständigt das Unternehmen sein Angebot an ICs für Breitbandnetze (CATV und FTTH) der nächsten Generation. mehr...

Neue Materialien ermöglichen hohe Taktfrequenzen: Fraunhofer ISE entwickelt resonanten DC/DC-Wandler (Demonstrator) mit 2,5 MHz für die Luftfahrtanwendung.
Stromversorgungen-GaN-Transistoren ermöglichen Schaltfrequenzen von 2,5 MHz

Schnelltaktende DC/DC-Wandler für die Luftfahrt

26.01.2017Im Projekt GaN-resonant haben Freiburger Forscher vom Fraunhofer ISE gemeinsam mit Projektpartnern einen resonanten Spannungswandler speziell auf die Anforderungskriterien der Luftfahrtelektronik entwickelt. Die im Projekt erzielten Ergebnisse lassen sich zukünftig auf weitere Anwendungen übertragen. mehr...

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