HF-Transistor

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "HF-Transistor".
GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.

Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

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HF-Technik-SPST-PIN-Elemente

Mikrowellensignale auf 40 GHz umschalten

03.11.2015Die monolithischen Schaltelemente MPS4101-012S und MPS4102-013S von Microsemi (Vertrieb: Globes) für Serien- oder Shunt-Schaltung haben eine minimale parasitäre Induktivität für geringe Einfügedämpfung und hohe Isolation im Bereich von 50 MHz bis 40 GHz. mehr...

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HF-Technik-HF-Leistungstransistoren

HF-GaN-Transistoren für Radarsysteme liefern Leistung auf Rekordniveau

01.09.2015Die neuen GaN-HEMTs von Cree lösen Probleme bei Radarsystemen mit Wanderfeldröhren (Traveling Wave Tubes). Die 50 V Betriebsspannung der GaN-Halbleiter sind ausfallsicherer als Hochspannungs-Stromversorgungen für Röhren. Halbleiterbasierte Radarsysteme sind ohne Aufwärmzeiten nahezu sofort betriebsbereit und erzielen eine längere Lebensdauer, größere Reichweiten sowie eine bessere Zieldiskrimination. mehr...

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HF-Technik-Schalten und walten

Hochlinearer Schalter mit HF-Eigenschaften

20.11.2012Mit dem SPDT PE42422 für den Frequenzbereich von 100 MHz bis 6 GHz erweitert Peregrine sein Angebot an hochlinearen Schaltern. mehr...

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Aktive Bauelemente-Mit hohem Leistungswirkungsgrad und kleinem Gehäuse-Footprint überzeugen

GaN-HEMT-Transistoren und -MMIC von Cree

28.06.2011Cree hat moderne GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) auf den Markt gebracht. mehr...

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