HF-Transistor

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "HF-Transistor".
Überzeugt hat unter anderem die Schnelligkeit der Signalübertragung zwischen Tester und PC über die USB2-Schnittstelle und das rasche Abarbeiten der Befehle im Rechner. Das ist vor allem dem sehr schnellen Mikroprozessor mit RISC/DSP-Struktur im zentralen Tester-Steuermodul zu verdanken, der alle Aktionen in Echtzeit abarbeitet.
Testgeräte + Prüfplätze-Steuerungen und Bedienterminal für Standheizungen online testen

Prüfungen am laufenden Band

08.02.2017Bei kaltem Herbst und noch kälterem Winter laufen die Produkte von Digades, Zittau, zur Höchstleistung auf. Steuerungen und Bedienterminal für Standheizungen sind nämlich Teil ihrer Kompetenz. Und wenn schon, dann wollen Autofahrer ein rasches Aufheizen ihrer Standheizung. Gestartet wird die Anlage mit einer Fernbedienung. Und wie von Zauberhand erwärmt sich das Innere des Wagens innerhalb kurzer Zeit. Das Aufheizen übernimmt die integrierte Standheizung. mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.
Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

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HF-Technik-SPST-PIN-Elemente

Mikrowellensignale auf 40 GHz umschalten

03.11.2015Die monolithischen Schaltelemente MPS4101-012S und MPS4102-013S von Microsemi (Vertrieb: Globes) für Serien- oder Shunt-Schaltung haben eine minimale parasitäre Induktivität für geringe Einfügedämpfung und hohe Isolation im Bereich von 50 MHz bis 40 GHz. mehr...

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HF-Technik-HF-Leistungstransistoren

HF-GaN-Transistoren für Radarsysteme liefern Leistung auf Rekordniveau

01.09.2015Die neuen GaN-HEMTs von Cree lösen Probleme bei Radarsystemen mit Wanderfeldröhren (Traveling Wave Tubes). Die 50 V Betriebsspannung der GaN-Halbleiter sind ausfallsicherer als Hochspannungs-Stromversorgungen für Röhren. Halbleiterbasierte Radarsysteme sind ohne Aufwärmzeiten nahezu sofort betriebsbereit und erzielen eine längere Lebensdauer, größere Reichweiten sowie eine bessere Zieldiskrimination. mehr...

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HF-Technik-Schalten und walten

Hochlinearer Schalter mit HF-Eigenschaften

20.11.2012Mit dem SPDT PE42422 für den Frequenzbereich von 100 MHz bis 6 GHz erweitert Peregrine sein Angebot an hochlinearen Schaltern. mehr...

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Aktive Bauelemente-Mit hohem Leistungswirkungsgrad und kleinem Gehäuse-Footprint überzeugen

GaN-HEMT-Transistoren und -MMIC von Cree

28.06.2011Cree hat moderne GaN-HEMT-Leistungstransistoren und ein High Power Amplifier (HPA) MMIC für den Frequenzbereich von 2,7 bis 3,5 GHz (S-Band) auf den Markt gebracht. mehr...

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