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IGBT

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "IGBT".
Blockdiagramm mit einem IGBT.
Leistungselektronik-IGBTs und MOSFETs treiben

Steuerspannung sicher und zuverlässig galvanisch getrennt ans Gate

11.12.2017- Application NoteHy-Line erklärt in diesem Whitepaper, was es bei der Verwendung einesIGBT zu beachten gibt und wie sie einzusetzen sind. mehr...

Seit 2009 ging es auf dem Markt für Transistoren ständig auf und ab. In Zukunft soll der Markt aber beständig wachsen.
Branchenmeldungen-Nach unbeständigen Jahren

Transistoren-Markt erholt sich

28.09.2017- NewsNach einem Bericht von IC Insights werden die Verkäufe von Transistoren in den kommenden Jahren  konstant steigen. Damit stabilisiert sich die Branche nach einigen holprigen Jahren. Gründe sehen die Analysten in einem erhöhten Bedarf an Transistoren in Elektrofahrzeugen sowie bei Anwendungen für erneuerbare Energien. mehr...

Der Gate-Treiber-Optokoppler TLP5214A von Toshiba eignet sich für Anwendungen, in denen schnelles Schalten erforderlich ist.
Leistungselektronik-Für IGBT- und Power-MOSFETs

Intelligenter Gate-Treiber-Optokoppler für Leistungselektronik

25.09.2017- ProduktberichtToshiba stellt mit dem TLP5214A einen intelligenten Optokoppler für IGBT- und Power-MOSFET-Gate-Ansteuerung vor. Der Baustein eigenet sich für den Einsatz in Industrie- und Photovolaikanlagen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS). mehr...

Bild 1: Die Primepack-Leistungsmodule basieren auf IGBTs der fünften Generation mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Leistungselektronik-Mit hoher Leistungsdichte lange leben

1800 A: Chip- und Leistungsmodul-Technologien machen es möglich

13.09.2017- FachartikelMit der .XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie und IGBTs der fünften Generation von Infineon lassen sich kompakte Leistungsmodul-Topologien realisieren. mehr...

Die dritte Generation der IGBTs von Rohm Semiconductor in Trench-Gate-Technologie und mit Field-Stop besitzt eine geringe Schwellspannung und gewähtleistet hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Leistungselektronik-Dünnes Substrat und optimierte Dotierung

IGBTs für 650 V in Trench-Gate-Technologie

18.05.2017- ProduktberichtRohm Semiconductor erweitert sein Angebot an IGBTs mit hoher Stromtragfähigkeit, niedriger Sättigungsspannung und geringen Schaltzeiten um eine dritte Generation. Die Bausteine eignen sich für den Einsatz in industriellen Anwendungen und Haushaltsgeräten, die sanftes und effizientes Schalten erfordern. mehr...

Bild 1: Temperaturverlauf in der Chipfläche.
Leistungselektronik-Die virtuelle Chiptemperatur und was sie bedeutet

Auch an virtuellen Temperaturen kann man sich verbrennen

10.05.2017- FachartikelFrüher war vieles einfacher und besser, so heißt es gelegentlich. Bei Halbleitertemperaturen könnte man das durchaus meinen. Vor Jahren stand in Datenblättern noch eine maximal zulässige Chiptemperatur Tjmax. Das war eine klare Aussage: heißer darf der Chip nicht werden! Heute findet sich stattdessen eine virtuelle Chiptemperatur Tvjmax. mehr...

Die optischen Kontakte sind nun sicher im DIN-41612-Gehäuse untergebracht.
Stecker + Kabel-Elektrisch stecken – optisch übertragen

Optische Kontakte im DIN-41612-Gehäuse

08.05.2017- FachartikelIGBT-Halbleiterelemente steuern leistungsstarke, elektrische Antriebe an. Um die nötige Isolation zu gewähren, erfolgt ihr Anschluss über Kunststofflichtwellenleiter. Diese Lösung ist jedoch platzintensiv und empfindlich. Harting bietet eine neue, miniaturisierte Lösung für die IGBT-Ansteuerung. mehr...

Gate-Treiber der Serie Scale I-Driver für IGBTs und MOSFETs liefern maxiale Ausgangsströme von 2,5 bis bis 8 A.
Leistungselektronik-Neues aus der Power-Fraktion

Ein kurzer Streifzug durch die Welt neuer Leistungselektronik-Bauteile

02.06.2016- FachartikelDie Halbleitertechnologien auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumcarbid bringen durch ­eine höhere Leistungsfähigkeit und -dichte ganz neue Formen von Leistungselektronik-ICs mit vielfältiger und teilweise neuartiger Funktionalität hervor. Die Redaktion wirft einen Blick auf einige der Neuheiten. mehr...

Bild 1: Leistungsmodule der Generation Primepack in IGBT5-Technologie für Spannungsklassen von 1200 und 1700 V.
Leistungselektronik-IGBT-Chiptechnologie

Neue Freiheitsgrade in der IGBT-Leistungselektronik

11.05.2016- FachartikelLeistungsmodule der Generation Primepack mit IGBT5-Technologie basieren auf einem robusten Gehäusekonzept und erreichen eine höhere Leistungsdichte als ihre Vorgänger. Rutronik erklärt wesentliche Verbesserungen gegenüber der IGBT4-Technologie und zeigt Vorteile anhand einiger Industrieanwendungen auf. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016- FachartikelDie Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

Bild 1: Diese drei Übertrager hat VAC kürzlich  durch den VDE nach der Norm IEC 61558 zertifizieren lassen.
Leistungselektronik-Leistungsübertrager

Gate-Drive-Transformer für moderne IGBT-Umrichter

10.12.2015- FachartikelDa im Zwischenkreis eines Frequenzumrichters sehr viel größere Spannungen herrschen als nach außen sichtbar sind, müssen Entwickler eine galvanische Trennung zwischen Zwischenkreis und User-Interface vorsehen. Für die Signale eignen sich Optokoppler, aber für die Leistungsübertragung kommen meist DC/DC-Wandler zum Einsatz. Vacuumschmelze stellt hierfür neue Ansteuerübertrager vor. mehr...

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Infineon mit neuer Geschäftseinheit in China

20.01.2011- NewsUm den wachsenden Bedarf an Lösungen für Energieeffizienz und Elektromobilität zu decken, hat Infineon Technologies im Reich der Mitte eine neue Geschäftseinheit eröffnet. mehr...

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