Leistungselektronik

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungselektronik".
Der Semix 3 Press-Fit Shunt senkt die Systemkosten durch integrierte Strommessung.

Leistungselektronik- Integrierte Shunt-Widerstände in Leistungsmodulen

Optimieren durch Integrieren

29.08.2016Der Markt für Frequenzumrichter bietet heute eine große Anzahl funktional ähnlicher Geräte. Eine Differenzierung ist nur noch über applikationsspezifische Sondergeräte oder die Reduzierung der Kosten möglich. Die Integration von Zusatzfunktionen ins Leistungsmodul ist eine Möglichkeit zur Optimierung der Kosten. Semikron bietet in der Semix 3 Press-Fit-Baureihe IGBT-Module in Halbbrückentopologie mit integrierten Shunts zur Strommessung. mehr...

Der TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A.

Leistungselektronik-650-V-GaN-HEMT mit 41 mΩ

GaN-Leistungshalbleiter

11.08.2016Transphorm entwickelt und fertigt High-Electron-Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs). Der neue TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A bei einer Schaltspannung von 650 V und nur 41 mΩ Durchgangswiderstand sowie einem Qrr (Reverse Recovery Charge) von 175 nC bei voller JEDEC-Qualifikation. mehr...

Bundesminister Alexander Dobrindt (Mitte) hat heute mit Dr. Reinhard Ploss, CEO bei Infineon (links), und Dr. Jochen Eickholt, CEO Division Mobility bei Siemens (rechts) einen Vertrag zum Aufbau von Radarsensorik auf der A 9 unterzeichnet.

Automotive-Digitales Testfeld Autobahn

A 9 wird erste intelligente und voll-digitalisierte Straße durch Radarsensorik

13.06.2016Dr. Reinhard Ploss, CEO bei Infineon, und Dr. Jochen Eickholt, CEO der Division Mobility bei Siemens, erklärten gemeinsam mit Bundesverkehrsminister Alexander Dobrindt, dass die A9 zum Testfeld mit Radarsensorik wird. Infineon liefert dafür die Sensoren, Controller, Leistungselektronik und Sicherheitschips. mehr...

Wireless-Kombiniertes Know-how

Wireless Power und Sensorik in einem Baustein

22.04.2016IDT kombiniert die eigenen Wireless-Power-ICs mit der kürzlich von ZMDI erworbenen Signalaufbereitungstechnik, um neue programmierbare Halbleiterbausteine zu entwickeln. Die in der Entwicklung befindlichen ICs eignen sich für viele unterschiedliche Anwendungen. mehr...

Das SiC-MOSFET-Treiberboard vereinfacht die Evaluation der SiC-MOSFET-Module.

Leistungselektronik-Evaluationboard

Vereinfachtes Design-in von SiC-Leistungsmodulen

07.04.2016Im Vergleich zu reinen Silizium-Halbleitern bieten SiC-Halbleiter einen größeren Bandabstand oder Wide-Band-Gap. Während Silizium einen Bandabstand von 1,12 eV hat, reicht der von SiC bis 3,2 eV. Microsemi hat ein sehr großes Angebot an SiC-MOSFETs. Auch SiC-MOSFET-Treiberboards sind im Programm, um die Evaluation der Module beim Kunden zu vereinfachen. mehr...

Beim Design legte der Hersteller besonderes Augenmerk auf den Wirkungsgrad.

Stromversorgungen-Sperrwandler

Sicherheitszertifizierte Schalt-ICs bis 900 V

24.03.2016Die Produktfamilie Innowitch-EP von Power Integrations hat Zuwachs bekommen, so dass es bei dieser Serie von Offline-CV/CC-Sperrwandler-ICs jetzt auch eine 900-V-Variante gibt. Das neue IC ist zum einen für Stromversorgungen vorgesehen, die mit hohen Eingangsgleichspannungen arbeiten, sowie zum anderen für Dreiphasen-Stromversorgungen. mehr...

Leistungselektronik-Für die sechste Generation der Skylake-Core-Prozessor-Architektur

Power-Management-ICs

02.02.2016Rohm erweitert sein Portfolio von Power-Management-ICs mit zwei neuen Produkten, die speziell für Intels 14-nm-Skylake-Core-Architektur entwickelt wurden. mehr...

Omnimate-Power: Mit der Leiterplattenklemme LUF 10.00 mit Push-in-Anschluss offeriert Weidmüller einen sicheren Geräteanschluss für die Leistungselektronik.

Stecker + Kabel-Innovatives Kontaktsystem

Geräteanschluss für die Leistungselektronik via Push-in-Technik

10.12.2015Mit seiner neuen Leiterplattenklemme LUF 10.00 hat Weidmüller nun ein cleveres Anschlusssystem mit der Bezeichnung „Connection Safety Concept“ auf den Markt gebracht. Ein direktes Stecken der Leiter ist mit der Push-in-Anschlusstechnik möglich: Mit geringem Kraftaufwand und ohne spezielle Werkzeuge. mehr...

Tabelle 1: Resistives Schalten im Vergleich zu induktivem Schalten, um den dynamischen RDS(on) zu bewerten.

Leistungselektronik-High-Electron-Mobility-Transistoren

Neue GIT-Struktur verhindert Current-Collapse bei GaN-HEMT-Leistungstransistoren

04.12.2015GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen sehr effiziente Stromversorgungen, allerdings hat die Branche mit ihnen viel weniger Erfahrung als bei traditionellen Silizium-Chips. So tritt hier das Current-Collapse-Phänomen auf, das den Baustein zerstören kann. Panasonic erklärt die Grundlagen und stellt ein geeignetes Prüfverfahren vor. mehr...

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Leistungselektronik-Haushaltsgeräte sparen Energie

Herausforderungen bei Motortreibern für weiße Ware

26.10.2015Die Marschrichtung ist klar: Haushaltsgeräte müssen weniger Energie verbrauchen und sollen zusätzlich auch diverse Komfort-Features aufweisen. Elektronik industrie liefert ausführliche Hintergrundinformationen zu diesem Thema und erklärt, welchen Beitrag intelligente Leistungsmodule mittlerweile zur Ansteuerung von Motoren leisten. mehr...

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Firmen und Fusionen-Crees Wolfspeed 2016 an der Börse

Neuer Name für Leistungselektronik- und HF-Sparte

29.09.2015Cree, Anbieter von LED-Beleuchtungslösungen, Power-Halbleitern und Bausteinen für Hochfrequenz- und Wireless-Anwendungen, hat Wolfspeed als neuen Namen seiner Leistungselektronik- und HF-Sparte vorgestellt. Das Unternehmen hatte im Mai bekannt gegeben, diesen Geschäftsbereich in eine eigenständige Firma auszugliedern. mehr...

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Baugruppenfertigung-Aufeinander abgestimmt

Materialsysteme speziell für die Leistungselektronik

06.09.2015Mit „Material Systems“ stellt Heraeus seine neue Strategie vor, durch die künftig bewährte Produkte in abgestimmten Materialsystemen erhältlich sein sollen. mehr...

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Branchenmeldungen-Volle Power

Infineon meldet starkes Wachstum bei Umsatz und Ergebnis

26.08.2015Im dritten Quartal des Geschäftsjahres 2015 stieg der Umsatz des Infineon-Konzerns gegenüber dem Vorquartal um 103 Millionen Euro beziehungsweise 7 % auf 1586 Millionen Euro; im zweiten Quartal waren es noch 1483 Millionen Euro. Q3 endete bei Infineon am 30.06.2015. mehr...

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Firmen und Fusionen-Forschungsprojekt HV-Modal gestartet

Autoindustrie und Forschungsinstitute entwickeln Baukastensystem für Elektroantriebe

20.07.2015Zehn Partner aus der Fahrzeugindustrie und der Forschung wollen im Rahmen des Forschungsprojekts HV-Modal in den nächsten drei Jahren ein Baukastensystem entwickeln, das sich für eine breite Palette von Antrieben verschiedener Hersteller eignet. Damit soll die Marktstellung der deutschen Automobilindustrie bei elektrifizierten Fahrzeugen – sowohl voll-elektrischen als auch hybriden – weiter verbessert werden. mehr...

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Branchenmeldungen-Aktuelle Broschüre

Leistungselektronik und Stromversorgungstechnik

23.06.2015Das gesamte Lieferprogramm der Hy-Line Power Components für Leistungselektronik und Stromversorgungstechnik ist in einer farbigen Broschüre auf 32 Seiten vereint. mehr...

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Baugruppenfertigung-Leistungshalbleiter für Anspruchsvolle

Flexible und skalierbare Gehäusetechnik für Leistungsmodule

19.06.2015Infineon hat eine neue, modulare Gehäuse-Plattform für High-Power-IGBT-Module entwickelt, die für den gesamten Spannungsbereich für IGBT-Chips von 1,2 kV bis 6,5 kV ausgelegt sind und eine breite Skalierbarkeit mit hoher Stromdichte ermöglichen. Für Applikationsentwickler vereinfacht sich dadurch die Systementwicklung. mehr...

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Leiterplattenfertigung-Konstruktions-Weltmeisterschaft

KSG bestückt Elektro-Rennwagen mit Elektronik-Komponenten

10.06.2015Der Elektro-Rennwagen der Westsächsischen Hochschule in Zwickau (WHZ) nimmt im Juli im englischen Silverstone an der Konstruktions-Weltmeisterschaft für Hochschulmannschaften teil. Wie bereits im Vorjahr unterstützt KSG Leiterplatten, Gornsdorf, das WHZ-Racing-Team mit Fertigung und Lieferung hochwertiger Leiterplatten. mehr...

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Bonding + Assembly-Geringe Wandlerverluste und sehr zuverlässig

Kostengünstige GaN-Leistungs-Bausteine gemäß HEMT

09.06.2015Der III/V-Halbleitermaterialentwickler Epigan hat auf der Messe PCIM Europe 2015 sein aktuelles Produktportfolio für GaN-on-Si-Epiwafer (Gallium Nitride on Silicon) vorgestellt, die sich in der Standard Si-CMOS-Fertigung einsetzen lassen. Die Epiwafer entsprechen den Industrie-Anforderungen an HEMT-Bausteine (High Electron Mobility Transistor) für 650 V. mehr...

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Baugruppenfertigung-Technologietage 2015

Scheugenpflug zeigt innovative Klebe- und Vergusstechnik

05.06.2015Mit einem Besucherrekord von rund 400 Gästen aus 18 Ländern fanden am 22. und 23. April 2015 bereits zum dritten Mal die Technologietage von Scheugenpflug in Neustadt an der Donau statt. mehr...

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Leistungselektronik-Bigger is better?

Die Bedeutung der Leistungsdichte in der modernen Leistungselektronik

12.05.2015Eine der in der Leistungselektronik wichtigen Kennzahlen ist die Leistungsdichte. Die auf das Volumen bezogene Angabe in Kilowatt pro Liter verrät, wie viel Bauraum eine leistungselektronische Komponente benötigt, um eine vorgegebene Ausgangsleistung zu erreichen. Ein weiteres Maß in Kilogramm pro Kilowatt sagt aus, wie viel Rohmaterial pro Ausgangsleistung benötigt wird. Der Beitrag erklärt die Hintergründe und Zusammenhänge. mehr...

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