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Leistungselektronik

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungselektronik".
Der Gate-Treiber-Optokoppler TLP5214A von Toshiba eignet sich für Anwendungen, in denen schnelles Schalten erforderlich ist.
Leistungselektronik-Für IGBT- und Power-MOSFETs

Intelligenter Gate-Treiber-Optokoppler für Leistungselektronik

25.09.2017- ProduktberichtToshiba stellt mit dem TLP5214A einen intelligenten Optokoppler für IGBT- und Power-MOSFET-Gate-Ansteuerung vor. Der Baustein eigenet sich für den Einsatz in Industrie- und Photovolaikanlagen sowie unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS). mehr...

Bild 1: Die Primepack-Leistungsmodule basieren auf IGBTs der fünften Generation mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C.
Leistungselektronik-Mit hoher Leistungsdichte lange leben

1800 A: Chip- und Leistungsmodul-Technologien machen es möglich

13.09.2017- FachartikelMit der .XT-Aufbau- und Verbindungstechnologie und IGBTs der fünften Generation von Infineon lassen sich kompakte Leistungsmodul-Topologien realisieren. mehr...

Aufmacher
Leistungselektronik-Kosmischem Beschuss trotzen

Höhenstrahlungsfestigkeit von SiC-Leistungshalbleitern

12.09.2017- FachartikelDie kosmische Höhenstrahlung ist allgegenwärtig und kann in elektronischen Bauelementen zum Single Event Burnout (SEB) führen. Gerade für Leistungshalbleiter ist die Robustheit gegenüber dem von Höhenstrahlung verursachten Phänomen ein wichtiges Kriterium. Messergebnisse aus aktuellen Veröffentlichungen zeigen, dass SiC-MOSFETs von Rohm robuster gegenüber Höhenstrahlung sind als Si-Bauelemente der jeweiligen Spannungsklassen. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Die Liqualloy-Leistungs-Induktoren der GLU-Serie tragen zur Reduzierung der Leistungsaufnahme in mobilen Geräten mit OLED-Panels bei.
Leistungselektronik-Leistungsinduktoren

Geringere Leistungsaufnahme für OLED-Panels

11.09.2017- ProduktberichtDie Liqualloy-Leistungs-Induktoren der GLU-Serie von Alps Electric Europe tragen maßgeblich zur Reduzierung der Leistungsaufnahme in mobilen Geräten mit OLED-Panels bei. Die Volumenfertigung der neuen Induktoren hat bereits im Mai 2017 begonnen. OLED (Organic Light-Emitting Diode) -Panels werden zunehmend in Smartphones und anderen mobilen Geräte eingesetzt, dank ihrer besseren Bildqualität. mehr...

Metallfolien-Chipwiderstände der MFC-Serie mit 3 W Nennleistung.
Leistungselektronik-Chipwiderstände höherer Leistungen

Metallfolien-Chipwiderstände mit 3 W Nennleistung

30.08.2017- ProduktberichtTT Electronics erweitert seine MFC-Serie von Metallfolien-Chipwiderständen um ein Bauteil im 2817er-Format, das bis zu 3 W Wärmeleistung abführen kann. mehr...

Recom
Stromversorgungen-Präsenz im AC-Power-Markt

Recom mit neuem Business Development Manager

22.08.2017- NewsMichael Schrutka ist neuer Business Development Manager beim Leistungselektronik-Hersteller Recom. In der neu geschaffene Position soll er im Gmundener Firmenhauptsitz als Schnittstelle zwischen den Vertriebskanälen und den Entwicklungsteams im Bereich AC/DC-Netzmodule fungieren. mehr...

Bild 2: Auf Applikationen angepasste Silikonfolien liefern ein optimales Verhältnis zwischen Wirtschaftlichkeit und Performance.
Leistungselektronik-Entwärmung gefällig?

Thermal-Interface-Materialien zum Kühlen elektronischer Baugruppen

18.08.2017- FachartikelDie Lösungsmöglichkeiten elektronische Baugruppen und Bauteile zu entwärmen, um diese in einem vorgegebenen Temperaturbereich langfristig und sicher zu betreiben, sind gleichermaßen vielfältig wie vielschichtig. Die richtige und optimale wärmetechnische Kontaktierung der zu kühlenden Bauteile auf der Wärmesenke hat hierbei einen maßgeblichen Einfluss. mehr...

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.
Leistungselektronik-In Planar- und Superjunction-Technologie

Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bei Schukat

08.08.2017- ProduktberichtSchukat hat das komplette, neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) in sein Sortiment aufgenommen. TSC setzt bei seinen Leistungsbauelementen zunehmend auf die Superjunction-Technologie. mehr...

Leiterplatten für die Elektromobilität waren das Thema eines Workshops.
Leiterplattenfertigung-Auswahl von Leiterplatten-Technologien

Leiterplatten für die Elektromobilität

27.07.2017- ProduktberichtDie Elektromobilität nimmt in der Berichterstattung einen breiten Raum ein. So sind in Zusammenarbeit mit Forschungsinstituten und Automobilzulieferern in den vergangenen Jahren eine Vielzahl von Technologien für Hochstrom- und Power-Leiterplatten entwickelt und untersucht worden. Ein Kompaktworkshop zum Thema Leiterplatten von Andus Electronic gab den aktuellen Stand wieder. mehr...

Bild 4: Sineformer-Filter von TDK Epcos.
Leistungselektronik-Kein unerwünschtes Rauschen

Ausgangsfilterung bei Wandlern und Wechselrichtern

07.07.2017- FachartikelDie meisten modernen Leistungswandler basieren auf Schalttechniken, um höchste Effizienz, kleinste Baugröße und geringste Kosten zu garantieren. Unvermeidlich entsteht dabei Schaltungsrauschen und Ausgangsfilter werden benötigt, um elektromagnetische Störungen (EMI) zu minimieren sowie einen zuverlässigen Betrieb des Wandlers und der Last zu gewährleisten. Dieser Beitrag befasst sich mit möglichen Filtertechniken. mehr...

Für sein Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ wurde Franz Stubenrauch als einer von drei Ingenieuren mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet.
Leistungselektronik-Interview zum Young Engineer Award

„Durch Galliumnitrid gewinnt man einen Freiheitsgrad hinzu“

20.06.2017- InterviewSeit zehn Jahren werden auf der PCIM Europe Konferenz herausragende Erstveröffentlichungen junger Ingenieure aus der Leistungselektronik mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet. In diesem Jahr setzte der 29-jährige Forschungsingenieur und Doktorand Franz Stubenrauch bei seiner Präsentation auf der PCIM-Europe-Konferenz auf Galliumnitrid: Mit seinem Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ überzeugte er die Jury der Konferenz-Direktoren und durfte eine der begehrten Auszeichnungen mit nach Hause nehmen. all-electronics.de hat sich mit Franz Stubenrauch über das Potenzial des Halbleitermaterials unterhalten. mehr...

Im Rahmen der Zusammenarbeit wollen die beiden Unternehmen auch Synergien austauschen und weiterentwickeln.  Zudem planen sie, die Vermarktung der gemeinsamen Technologien wie Nitridkeramik-Komponenten voranzutreiben.
Wärmemanagement-Kooperation zwischen Kyocera und Toshiba

Nitridkeramik-Komponenten für die Halbleiterfertigung

14.06.2017- NewsDie beiden japanischen Unternehmen wollen zukünftig bei der Entwicklung und Herstellung von Nitridkeramik-Komponenten zusammenarbeiten. Die Bauteile zeichnen sich durch hohe Wärmeleitfähigkeit und gute mechanische Eigenschaften aus. mehr...

Bild 6: Die Gewinner des Isle of Man TT Zero-Rennens 2016 (von links): Daley Mathison, UoN/Murata (Dritter Platz); Bruce Anstey, Mugen/Honda (Erster Platz); William Dunlop, Victory (Zweiter Platz).
Stromversorgungen-Spannungswandler für extreme Belastungen

Ansteuerung von IGBTs in Elektro-Motorrädern

04.06.2017- FachartikelDie Entwicklung der Leistungsregelung für ein elektrisch angetriebenes Superbike ist ein komplexes Projekt. Murata arbeitete beim Design der Spannungswandler für die IGBT-Gatetreiber mit der Universität Nottingham zusammen. Gemeinsam wurden die Entwicklungsherausforderungen gemeistert. mehr...

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Branchenmeldungen-PCIM 2017 in Bildern

Lächelnde Oszilloskope, schnelles GaN und gut bewachtes SiC

24.05.2017- BildergalerieEin gutes Jahr für die PCIM: Rund 10.800 Besucher sahen sich Produkte und Lösungen der 465 Aussteller an. In diesem Jahr bildete die Messe das gesamte Spektrum der Leistungselektronik ab, wobei aktuell die Autoindustrie mit Neuentwicklungen im Bereich E-Mobility das größte Wachstumspotenzial aufweist. Unser Redaktionsteam war auf der PCIM unterwegs und hat seine Eindrücke in dieser Bildergalerie gesammelt. mehr...

Die dritte Generation der IGBTs von Rohm Semiconductor in Trench-Gate-Technologie und mit Field-Stop besitzt eine geringe Schwellspannung und gewähtleistet hohe Schaltgeschwindigkeiten.
Leistungselektronik-Dünnes Substrat und optimierte Dotierung

IGBTs für 650 V in Trench-Gate-Technologie

18.05.2017- ProduktberichtRohm Semiconductor erweitert sein Angebot an IGBTs mit hoher Stromtragfähigkeit, niedriger Sättigungsspannung und geringen Schaltzeiten um eine dritte Generation. Die Bausteine eignen sich für den Einsatz in industriellen Anwendungen und Haushaltsgeräten, die sanftes und effizientes Schalten erfordern. mehr...

Die +FET-Superjunction-MOSFETs für 650 V Betriebsspannung von D3 Semiconductor sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich.
Leistungselektronik-Superjunction-MOSFETs

D3 Semiconductor gibt Vertriebsvereinbarung mit Mouser bekannt

17.05.2017- NewsD3 Semiconductor hat Mouser Electronics als seinen globalen Vertriebspartner bekanntgegeben. Gemäß der Vereinbarung hält Mouser die gesamte Produktlinie der +FET-650-V-Superjunction-MOSFETs von D3 auf Lager. Die Bausteine kommen in PFC-Bostern und Wechselrichtern für die Telekommunikation, im Enterprise Computing sowie in USV- und Solaranlagen zum Einsatz. mehr...

Bild 1: GIPC und Tochterplatine sind auf eine Platine montiert. Der GPIC dient der Steuerung der Endstufen. Die Tochterplatine wiederum ermöglicht unter anderem Signalrouting und Messwertfilterung.
Leistungselektronik-Entwurf einer Leistungselektronik für eine Stromquelle

Von der Spice-Simulation bis zur Implementierung auf einem NI-FPGA- und Echtzeitbetriebssystem

27.04.2017- FachartikelDie Entwicklung von Stromquellen auf Basis des General Purpose Inverter Controller (GPIC) macht eine flexible Lösung möglich, die sich leicht an die Bedürfnisse von Kunden anpassen lässt.  Die Inbetriebnahme mithilfe einer Co-Simulation reduziert zudem den Zeitbedarf der Softwareentwicklung und vermindert das Risiko einer Beschädigung der Anlage während der Inbetriebnahme. mehr...

Priatherm hat viel Erfahrung mit dem Noclok-Hartlötverfahren und arbeitet ständig an neuen innovativen Lösungen.
Leistungselektronik-Kühlung mit Know-how

Nocolok-Hartlötverfahren bei Kühlkörpern

26.04.2017- FachartikelHartlötverfahren unter kontrollierter Stickstoffatmosphäre (Nocolok) ist eine zuverlässige Fügetechnik. Priatherm hat viel Erfahrung mit diesem Prozess und umfangreiche Kenntnisse im Thermal-Management für die Leistungselektronik und arbeitet ständig an neuen innovativen Lösungen. mehr...

Hexagonaler GaN-Einkristall mit einem Durchmesser von 2 Zoll. Die Herstellung dieser Einkristalle ist schwierig und teuer, was derzeit den größten Stolperstein für GaN-Bauelemente auf den Weg in den Hochspannungsbereich darstellt.
Leistungselektronik-Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

25.04.2017- FachartikelSeit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt. mehr...

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