Leistungshalbleiter bipolar

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter bipolar".
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Leistungselektronik-Bigger is better?

Die Bedeutung der Leistungsdichte in der modernen Leistungselektronik

12.05.2015Eine der in der Leistungselektronik wichtigen Kennzahlen ist die Leistungsdichte. Die auf das Volumen bezogene Angabe in Kilowatt pro Liter verrät, wie viel Bauraum eine leistungselektronische Komponente benötigt, um eine vorgegebene Ausgangsleistung zu erreichen. Ein weiteres Maß in Kilogramm pro Kilowatt sagt aus, wie viel Rohmaterial pro Ausgangsleistung benötigt wird. Der Beitrag erklärt die Hintergründe und Zusammenhänge. mehr...

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Automotive-Infineon und Panasonic

Dual-Sourcing für selbstsperrende 600-V-GaN-Transistoren

10.03.2015Infineon Technologies und die Panasonic Corporation haben eine Vereinbarung zur gemeinsamen Entwicklung von Galliumnitrid-(GaN)-Bausteinen unterzeichnet. mehr...

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Leistungselektronik-Akquisition abgeschlossen

IR gehört jetzt zu Infineon

15.01.2015Die Infineon Technologies AG hat die Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen. mehr...

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Automotive-Treiber-IC

Für (H)EVs und SMPS

28.10.2014International Rectifier stellte mit dem automotive-qualifizierten AUIRB24427S ein Dual-Low-Side-Treiber-IC für hohe Ströme für den Einsatz in Schaltnetzteilen (SMPS) vor, das sowohl in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV) und Elektrofahrzeugen (EV) als auch in industriellen Hochleistungswandlern Verwendung finden kann. mehr...

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Leistungselektronik-Der Vertrag ist unterzeichnet

Infineon will International Rectifier kaufen

20.08.2014Infineons CEO Dr. Reinhard Ploss hat in den USA einen Vertrag zur Akquisition von International Rectifier unterzeichnet, um so „eine Vertiefung und eine Verbreiterung“ des Produktportfolios zu erreichen. mehr...

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Leistungselektronik-Kontrolle im Kurzschlussfall

IGBT-Treiberkerne mit der Scale-2+-Techno­logie

15.04.2014Concept liefert die ersten IGBT-Treiberkerne mit der Scale-2+-Techno­logie aus. Die Soft-Shutdown-Funk­tion sorgt für kontrolliertes Herun­ter­fahren im Kurz­schluss­fall. mehr...

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Automotive-Hintergrund-Infos zum Einsatz im gemischten 12-V/48-V-Bordnetz

Bus-Transceiver für 48 V und 12 V

08.04.2013Auf dem 15. Fachkongress „Fortschritte in der Automobilelektronik“ kündigten in Ludwigsburg fünf namhafte deutsche Automobilhersteller an, in zukünftigen Fahrzeugplattformen neben dem bekannten 12-V-Bordnetz zusätzlich ein 48-V-Bordnetz einzuführen. Knapp zwei Jahre danach zeigt AUTOMOBIL-ELEKTRONIK, worauf zu achten ist und was sich bereits getan hat. mehr...

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Automotive-Kompensation des Spannungsabfalls beim Betätigen des Anlassers

Spannung konstant halten

14.06.2012Mit integrierten MOSFET-Controllern ist es möglich, den Spannungsabfall beim Betätigen des Anlassers zu kompensieren, um so den kontinuierlichen Betrieb von Radio, Navigationssystem etc. in Start-Stop-Systemen auch während des automatischen Motorstarts vor der Ampel sicher zu stellen. mehr...

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Automotive-Exklusiv-Interview mit Jochen Hanebeck, Präsident der Division Automotive bei Infineon

Mehr Funktionalität integrieren

06.06.2012AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Jochen Hanebeck, Präsident der Division Automotive bei Infineon ­Technologies, über die Geschäftslage, die Trends bei Mikrocontrollern, Leistungshalbleitern, Sensoren, ­Fahrerassistenz, Safety und Security. Dabei erläuterte er unter anderem auch erstmals Details über einen kleinen optischen 3D-Kamerachip – „eine echte Weltneuheit“. mehr...

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Branchenmeldungen-Dr. Reinhard Ploss löst Peter Bauer ab

Neuer Infineon-Vorstand ab Oktober 2012

13.05.2012Peter Bauer, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG, wird aus gesundheitlichen Gründen zum Ende des laufenden Geschäftsjahres auf eigenen Wunsch aus dem Vorstand des Unternehmens ausscheiden. Bauer leidet an… mehr...

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Leistungselektronik-3-Phasen Motor-Controller

Hochintegriert und klein

29.02.2012Das Modell MSK 4364 von MSKennedy (Vertrieb: Weltronic) ist ein ultra kompakter 3-Phasen Motor-Controller mit 5 A und 55 V für BDC-Motoren. mehr...

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Automotive-Für Hybrid- und Elektrofahrzeuge

Ansteuer-IC für große IGBTs oder MOSFETs

28.02.2012Zur Ansteuerung von großen IGBTs oder MOSFETs in Wechselrichtern für den Antriebsstrang von (H)EVs hat International Rectifier ein AUIR0815S genanntes IC auf den Markt gebracht, das einen Ausgangsstrom von über 10 A liefert. mehr...

Leistungselektronik-Phase leg SiC-Power-Module

Für den Einsatz in Leistungsschaltkreisen

07.12.2011Microsemi hat mit den Typen APTJ120AM13VCT1AG und APTJ120AM25VCT1AG 1200 V SiC-Module für 100 A beziehungsweise 50 A im Programm, die im Phasenzweig von Ein- und Mehrphasensystemen zum Einsatz kommen. Die Module verwenden je vier SiCJFETs und drei SiC-Dioden je Schalter parallel. Über infoDIREKT gibt es die beiden zugehörigen Datenblätter in Englisch. mehr...

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Leistungselektronik-VJ-FET-Hochstrom-Gatetreiber

Einfache Ansteuerung von Enhanced Mode Silizium Carbide Power VJ-Feldeffekttransistor

06.12.2011Auf 10 Seiten in Englisch beschreibt Microsemi (ex ASIC Advantage) die technischen Daten und besonderen Merkmale des VertikalJunction-FET Hochstrom-Gatetreibers AAC611 in allen Details. Am Ende des Datenblattes findet sich eine kurze Beschreibung der Funktion in der Applikation als Enhanced Mode SiC Power VJFET-Treiber. Der Gatetreiber AAC611 eignet sich gut für das Zusammenspiel mit den Phase leg SiC-Modulen APTC120AM13 und AM25. mehr...

Leistungselektronik-Bypass-Diode

Einsatz als ideale Solar-Bypass-Diode mit bidirektionalem Blitzschutz

06.12.2011Die LX2400 ist ausgelegt als Bypass in einer Reihenschaltung von bis zu 24 Solarzellen. Das 8-seitige Datenblatt zeigt die wesentlichen Merkmale und technischen Daten wie der geringe Spannungsabfall von 50 mV bei 10 A oder der Betriebstemperaturbereich von -65 bis 165 °C sowie Hinweis zur Verarbeitung mittels Reflowlötung. mehr...

Leistungselektronik-Schottky-Barrier-Diode und TVS

Photovoltaik-Bypass, Schutz vor Transienten und ESD

05.12.2011Die Schottky-Barrier-Diode SFDS1045L ist eine 10 A Bypass-Diode für den Einsatz in Solarmodulen unter dem Modulglas. Sie ist in einem flexiblen Gehäuse untergebracht. Zusammen mit den Bausteine SMCJ5.0e3 bis SMCJ440Ae3 ist Transientenschutz für Spitzen-Leistungen bis 1500 W gegeben. Die Baureihe deckt Spannungen von 5 bis 440 V ab und Spitzenströme von 156,3 A bis 2,1 A. Datenblätter in Englisch zeigen eine genaue Beschreibung der Bauteile und deren Applikation. mehr...

Leistungselektronik-flowIPM 1B Power-Module

Einsatz des Evaluationboards zum Leistungsmodul

05.12.2011In dieser Applicationnote wird das Evaluationboard für die Module P950 oder in anderen Worten für das flowIPM1B beschrieben. Mit diesem Board erzielt man eine Plug-and-Play-Lösung mit dem Schaltverhalten und der Effizienz der genannten Module. 23 nützliche Seiten in Englisch für den Entwickler. mehr...

Leistungselektronik-IRS2500 PFC-Pre-Regulator

Einsatz zur Leistungsfaktorkorrektur

02.12.2011Auf 21 Seiten in Englisch zeigt International Rectifier die Applikation des IRS2500 PFC-Pre-Regulators. Die Schrift geht auf die Grundlagen ein und zeigt sehr detailliert und mit viel Formelwerk, wie man das Bauteil vorteilhaft in einer Applikation integriert. Auch werden Überlegungen zum Leiterplatten-Layout angestellt. mehr...

Leistungselektronik-SiC JFETs

Einsatz in 3-Phasen-Stromversorgungen

02.12.2011SiC JFETs sind die einfachste und peiswerteste Lösung für Stromversorgungen im kW-Bereich. Dies wird in dem 5-seitigen Beitrag in Englisch durch einen Vergleich von Alternativen in einer 3-Phasen-Stromversorgung mit 4 kW belegt. Dabei wird eine 1200 V SiC JFET-Implementation mit einer 600 V Superjunction MOSFET-Lösung verglichen, das ist die bestmögliche Alternative. mehr...

Leistungselektronik-1200 V Phase leg SiC-Power-Modul

Für den Einsatz in Leistungsschaltkreisen

29.11.2011Microsemi hat mit dem Typen APTJ120AM08CDAG ein 1200 V/250 A SiC-Modul mit RDS(on) 7,5 mOhm im Programm, das im Phasenzweig von Ein- und Mehrphasensystemen zum Einsatz kommt. Das Modul verwendet je zwei SiCJFETs und zwei SiC-Dioden je Schalter parallel. Über infoDIREKT gibt es das zugehörigen 5-seitige Datenblatt in Englisch. mehr...

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